MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Слухи о намерениях генерального директора AMD Лизы Су (Lisa Su) посетить Южную Корею для важных переговоров с Samsung Electronics подтвердились, поскольку в официальном пресс-релизе первой из компаний было отмечено, что новый меморандум о взаимопонимании представители сторон подписали на этой неделе в Пхёнтхэке, где у Samsung расположен крупный комплекс по выпуску микросхем памяти.
Источник изображения: AMD
Это соглашение направлено на углубление сотрудничества компаний в сфере разработки и производства перспективных типов памяти для инфраструктуры ИИ. Если перейти к частным случаям, то Samsung будет снабжать AMD микросхемами HBM4 для ускорителей вычислений Instinct MI455X, а также оперативной памятью DDR5 для процессоров EPYC и платформы AMD Helios. Представители Samsung также подчеркнули, что их компания обладает компетенциями в области упаковки чипов, а также их контрактного производства.
Лиза Су отметила: «Обеспечение создания нового поколения ИИ-инфраструктуры требует глубокого сотрудничества во всей отрасли. Мы взволнованы возможностью расширить нашу работу с Samsung, объединяя их лидерство в передовой памяти с нашими GPU семейства Instinct, центральными процессорами EPYC и платформами стоечного масштаба. Интеграция по всей вычислительной инфраструктуре, от кремния до системы и стойки, является жизненно необходимым условием ускорения инноваций в ИИ, которое обеспечивает влияние на реальный мир в полном масштабе».
На очередном этапе сотрудничества AMD и Samsung сосредоточатся на использовании памяти HBM4 в составе ускорителей Instinct MI455X, а также передовой памяти DRAM для серверных процессоров EPYC шестого поколения под условным обозначением Venice. Эти технологии будут объединены в инфраструктурных решениях на основе продукции AMD. Последняя из компаний надеется за счёт сотрудничества с Samsung более выигрышно оптимизировать ИИ-инфраструктуру для своих клиентов.
Микросхемы HBM4 производства Samsung будут использованы в составе ускорителей вычислений AMD Instinct MI455X. Соответствующие чипы производятся с использованием 10-нм технологии шестого поколения (для кристаллов DRAM) и 4-нм технологии (для базового кристалла с логикой). Они обеспечивают скорость передачи данных до 13 Гбит/с на контакт и полосу пропускания 3,3 Тбайт/с, что значительно превосходит требования стандартов JEDEC. В мировых масштабах Samsung контролирует только 22 % рынка HBM, на долю SK hynix приходятся 57 % сегмента, по данным Counterpoint Research.
В дальнейшем Samsung и AMD будут готовы обсудить использование контрактных услуг первой по выпуску чипов для второй, но каких именно изделий это коснётся, пока не уточняется. Samsung будет снабжать AMD и её партнёров и памятью DDR5, оптимизированной под особенности фирменной архитектуры Helios. Samsung уже является для AMD основным поставщиком памяти типа HBM3E, которая используется в составе ускорителей вычислений Instinct MI350X и MI355X.
Источник:
