MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
На техпроцесс 3 нм за I квартал пришлись 25 % выручки, рассказал в ходе брифинга, посвящённого финансовым показателям TSMC по итогам финансового года, глава компании Си Си Вэй (C.C. Wei). Он рассказал о планах компании на ввод новых производственных мощностей по выпуску чипов по нормам 3 нм на Тайване, в США и Японии в период с 2027 по 2028 годы, а также поведал о планах внедрения технологии CoPoS, передаёт Digitimes.
Источник изображений: tsmc
В Научном парке Южного Тайваня TSMC планирует построить новый завод по производству чипов с использованием техпроцесса 3 нм; массовый выпуск начнётся в первой половине 2027 года. Второй завод в американской Аризоне также будет использовать технологию 3 нм; начало производства намечено на вторую половину 2027 года. На техпроцесс 3 нм будет переведён второй завод в японском Кумамото; здесь начало производства запланировано на 2028 год. На Тайване существующее оборудование для выпуска продукции по нормам 5 нм будет переоснащено под 3 нм.
Заводы P1 и P2 комплекса F20 в городке Баошан (уезд Синьчу) будут специализироваться на техпроцессе 2 нм; P3 сможет работать как с 2 нм, так и с A14. Завершение строительства запланировано на середину 2026 года. Заводы P1 и P2 комплекса F22 в Гаосюне ориентированы на техпроцесс 2 нм; P3 и P4 будут работать с 2 нм и A16. Установка оборудования на P3 начнётся во II квартале 2026 года; завершение строительства P4 намечено на январь 2027 года. P5 и P6 находятся на стадии планирования; все предприятия будут иметь мощность от 20 000 до 25 000 пластин.
В Тайнане запланировано строительство комплекса A10, где на заводах P1–P4 будут разрабатываться передовые техпроцессы по нормам менее 1 нм; в 2029 году стартует опытное производство объёмом около 5000 пластин в месяц. Сейчас завод P1 площадки F21 в Аризоне производит чипы по нормам 4 нм с мощностью 20 000–25 000 пластин в месяц. На заводе P2 будет использоваться техпроцесс 3 нм; оборудование будет установлено в III квартале этого года. Предприятия P3, P4 и P5 будут специализироваться на технологиях 2 нм, A16 и A14 соответственно. Запланированы ещё шесть производственных площадок и в общей сложности 11 заводов.
Запуск строительства первого современного завода по производству корпусов запланирован на вторую половину 2026 года, ввод в эксплуатацию — к 2028 году. Спрос на упаковку CoWoS остаётся высоким: завод AP8 P1 в Тайнане к концу года рассчитывает увеличить мощность до более чем 40 000 единиц продукции в месяц. Завод AP7 P1 в Чиайи специализируется на WMCM и в основном обслуживает Apple; предприятие P2 займётся выпуском SoIC. Установка оборудования на P2 начнётся в июне 2026 года при целевой ежемесячной мощности 12 000 единиц, ещё 10 000 единиц в месяц обеспечит завод AP6 в Чжунане.
Первоначально планировалось, что массовое производство CoPoS стартует в 2028 году, но сроки пришлось перенести. Установка оборудования для исследований и разработки начнётся только в III квартале 2026 года; ещё год займёт строительство опытной линии, к III кварталу 2027 TSMC планирует разместить заказы на оборудование. Оборудование для опытной линии поступит на завод P7 в Чиайи ко II кварталу 2028 года, далее около года уйдёт на проверки и доработку. Заказы на оборудование для серийного производства будут размещаться к середине 2029 года; поставят его к I кварталу 2030 года; а готовая продукция начнёт выходить, вероятно, лишь в IV квартале 2030 года.
Проект CoWoP при сотрудничестве Nvidia и Siliconware Precision Industries (SPIL) могут отложить из-за высоких технической сложности и стоимости — SPIL и тайваньские производители печатных плат проявляют к нему низкий интерес, и поддерживают проект в основном китайские компании.
Источник:
