Аэрокосмический стартап Varda Space Industries опубликовал видео, наглядно демонстрирующее, как выглядит возвращение космической капсулы с орбиты на Землю. Инженеры компании закрепили на капсуле камеру, благодаря чему все желающие могут буквально с видом от первого лица наблюдать весь процесс, начиная с отделения от носителя и заканчивая входом в атмосферу и последующим приземлением.

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Varda Space Industries

Видео было снято в процессе возвращения на Землю капсулы Varda W-1, которая 21 февраля совершила посадку на территории военного полигона в штате Юта, США. Капсула провела на низкой околоземной орбите около восьми месяцев, что существенно дольше, чем планировала компания. Дело в том, что Varda пришлось долго ждать разрешения регулирующих органов на посадку капсулы на территории США.

«Вот видео, как наша капсула прорывается через атмосферу на скорости 25 Махов [более 30 тыс. км/ч], без рендеринга, только необработанные кадры», — говорится в описании короткой версии ролика, которая появилась в аккаунте Varda в социальной сети X. Полная версия 28-минутного видео опубликована на YouTube.

Что касается деятельности Varda, то она сотрудничала с Rocket Lab в рамках последней миссии, во время которой стартап изучал возможность создания фармацевтических препаратов в космосе. После возвращения капсулы на Землю специалистам компании предстоит проанализировать результат проделанной на орбите работы в лабораторных условиях.

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.