Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Intel всё же не вернётся к выпуску микросхем памяти
31.08.2026 [07:53],
Алексей Разин
В уходящем месяце генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) довольно двусмысленно обратился к теме инвестиций в технологии, связанные с производством и интеграцией памяти, попутно напомнив, что нанял на работу бывшего главу SK hynix. Финансовому директору Intel Дэвиду Зинснеру (David Zinsner) пришлось пояснять, что у компании нет планов по возвращению к самостоятельному изготовлению микросхем памяти. 
Источник изображения: Intel Напомним, что с 1968 года Intel примерно до середины восьмидесятых годов производила микросхемы DRAM, а уже в этом веке пыталась предложить собственную версию NAND, но после продала профильный бизнес южнокорейской компании SK hynix. На недавней технологической конференции Deutsche Bank Зинснер прокомментировал слухи о возвращении Intel на рынок памяти следующим образом: «Я бы предпочёл избегать рынка памяти. Поэтому я надеялся, что вы не будете говорить о том, что мы возвращаемся на рынок DRAM». Далее он пояснил, что генеральный директор Лип-Бу Тан в своих недавних комментариях имел в виду углубление сотрудничества с партнёрами и клиентами в сфере устранения «узких мест», которые мешают масштабированию быстродействия памяти. «Думаю, что он видит нас в роли ключевого игрока, занимающегося этой работой, которая включает взаимодействие с тремя основными производителями памяти, и у него налажены хорошие отношения с ними…, и мы регулярно обсуждаем вещи, которые могли бы делать вместе. Кроме того, есть способы разработать продукт, его архитектуру, наши продукты, которые лучше себя проявят при взаимодействии с памятью», — попытался пояснить позицию главы компании Intel её финансовый директор. Переход на технологию упаковки EMIB-T, помимо прочего, тоже будет служить достижению этой цели, поскольку повысит эффективность интеграции компонентов. «Память на вес золота» уже не метафора — килограмм DRAM почти догнал по цене килограмм золота
26.08.2026 [13:39],
Алексей Разин
По данным Chosun Biz, экспортная стоимость микросхем DRAM южнокорейского производства за три года и семь месяцев выросла в 12,5 раза. Теперь килограмм такой памяти стоит столько же, сколько 620 граммов золота, и почти в 42 раза дороже килограмма серебра. 
Источник изображения: SK hynix Как поясняет TrendForce, по темпам подорожания DRAM за этот период значительно обогнала даже золото: если стоимость южнокорейской памяти выросла в 12,5 раза, то драгоценный металл подорожал лишь в 2,4 раза. Сейчас средняя экспортная стоимость килограмма микросхем DRAM из Южной Кореи достигает $92 183, причём за первые три недели августа она выросла на 401 % в годовом сравнении. Экспортная выручка Южной Кореи от поставок DRAM за тот же период увеличилась на 504,8 % год к году, до $9,8 млрд. Отчасти такая динамика объясняется увеличением ёмкости выпускаемых микросхем: чем больше памяти содержит каждый чип, тем выше его стоимость. За последний год средняя ёмкость экспортируемых из Южной Кореи микросхем DRAM удвоилась с 1 до 2 Гбайт. Однако одним этим фактором столь стремительный рост цен объяснить нельзя. По данным TrendForce, во второй половине прошлого года контрактные цены на серверную DRAM выросли на 64 %, а по итогам текущего года рост должен составить 270 %. Особенно резко память дорожала во втором квартале, когда контрактные цены последовательно увеличились на 53–58 %. В третьем квартале ожидается рост ещё на 13–18 %, а в четвёртом — на 3–8 %. Розничный рынок движется в том же направлении. В Германии средняя стоимость модулей DDR5 с июля прошлого года выросла в 4,86 раза, отмечает источник. Кратное подорожание наблюдается также в США и Японии. При этом даже по выросшим ценам память не всегда просто найти в продаже: специализированные боты буквально устроили за ней охоту, зачастую не оставляя обычным покупателям шансов приобрести востребованные модули по приемлемой цене. Выручка от реализации микросхем памяти превысит $1 трлн в следующем году, по версии Gartner
26.08.2026 [08:02],
Алексей Разин
Поскольку крупные производители памяти всё чаще признают, что в 2027 году дефицит этой продукции не будет устранён, условия для дальнейшего роста цен сохраняются. Такая обстановка позволяет аналитикам Gartner предположить, что совокупная выручка от реализации микросхем памяти по итогам следующего года превысит $1 трлн. Рынок полупроводниковых компонентов в целом при этом приблизится в денежном выражении к отметке $2 трлн. 
Источник изображения: Micron Technology Если быть точнее, то прогноз Gartner подразумевает увеличение выручки полупроводникового рынка в целом с $809 млрд до $1,55 трлн в текущем году, на приличные 92 %. В следующем году темпы роста этой выручки замедлятся, она увеличится только до $1,94 трлн. При этом доля сегмента ЦОД в совокупной выручке полупроводникового рынка вырастет с текущих 35,6 % до более чем 53 % к концу десятилетия, как считают эксперты. Это позволит выигрывать от ИИ-бума и тем сегментам рынка, которые не были в фаворитах на первых порах. 
Источник изображения: Gartner Например, без учёта сегмента памяти выручка полупроводникового рынка в этом году увеличится с $589 до $718 млрд, на уверенные 21,9 %, а по итогам следующего года вырастет до $864 млрд. Конечно, с динамикой выручки от реализации микросхем памяти её всё равно не сравниться. В сегменте DRAM выручка в этом году вырастет на 246,6 %, а в сегменте NAND — на все 371,9 %. В общей сложности, выручка от реализации памяти в этом году вырастет почти в четыре раза, с $220 до $837,3 млрд. В следующем году динамика заметно замедлится, но одновременно выручкой от реализации микросхем памяти будет преодолён важный рубеж в $1 трлн. Рост цен на память в следующем году отчасти должен замедлиться после ввода в строй дополнительных производственных мощностей или оптимизации использования существующих. Кризис памяти ударит по его инициаторам: память съест две трети капзатрат на ИИ-инфраструктуру
25.08.2026 [19:14],
Павел Котов
Облачные провайдеры по всему миру ускоряют инвестиции в инфраструктуру искусственного интеллекта. По итогам 2026 года общие капитальные затраты крупнейших операторов вырастут на 98 %, а в 2027 году — ещё на 50 %, прогнозирует TrendForce. 
Источник изображения: nvidia.com Этот стремительный рост будет частично обусловлен резким повышением контрактных цен на память и высоким спросом на неё. В 2026 году доля DRAM и NAND в капзатратах облачных провайдеров составит 47 %, а в 2027 году вырастет до 68 %. Резкий рост контрактных цен на память со второй половины 2025 года значительно увеличил долю этой статьи в расходах операторов. Цены на серверную DRAM во второй половине 2025 года выросли в совокупности на 64 %, а в течение 2026 года могут подняться ещё примерно на 270 %. Цены на корпоративные SSD во второй половине минувшего года увеличились примерно на 35 %, а в текущем году могут вырасти ещё на 235 %. 
Источник изображения: trendforce.com Во II квартале 2026 года производители чипов памяти стали заключать с клиентами долгосрочные соглашения, некоторые из которых предусматривают потолки цен, способные сдержать дальнейшее подорожание. Тем не менее в 2027 году контрактные цены на HBM могут вырасти ещё на 70–140 %. В 2026 году на долю HBM и серверной RDIMM в совокупности придётся 51 % поставок DRAM в пересчёте на биты. В 2027 году миграция на новые техпроцессы и ввод дополнительных производственных мощностей помогут увеличить поставки серверной DRAM и HBM ещё на 27 %. Рост контрактных цен на память, особенно на дорогую HBM, в сочетании с увеличением объёмов поставок приведёт к тому, что доля памяти в капзатратах облачных провайдеров в 2027 году достигнет 68 %. Это будет иметь два основных последствия для экосистемы ИИ. Во-первых, поставщики серверного оборудования и ИИ-ускорителей получат дополнительные основания для повышения цен на свою продукцию. В результате облачным провайдерам придётся ещё сильнее увеличивать капитальные расходы, если они захотят сохранить запланированные объёмы закупок ИИ-ускорителей. Во-вторых, операторы могут начать активнее оптимизировать архитектуру ИИ-систем, сокращая объём памяти в каждой из них. В частности, могут измениться конфигурации RDIMM и объёмы HBM, интегрированной в будущие ИИ-ускорители. Кроме того, может вырасти интерес к специализированным ИИ-ASIC, в которых архитектура конкретной модели реализована непосредственно на аппаратном уровне. Samsung попробует нарастить выпуск DRAM без строительства новых фабрик
24.08.2026 [11:54],
Алексей Разин
Производители памяти готовы использовать разные подходы к увеличению объёмов поставок продукции, и не всегда они связаны с банальным вводом в строй дополнительных производственных площадей. Samsung Electronics, как сообщает Chosun Biz, делает упор на повышение уровня выхода годной продукции и переход на более прогрессивные техпроцессы. 
Источник изображения: Samsung Electronics В этом случае дополнительные площади для увеличения объёмов выпуска продукции не требуются, и это позволяет быстрее наращивать объёмы производства памяти. По данным источника, сейчас Samsung сосредоточена на переводе производства DRAM с техпроцесса 1b на 1c, а также стабилизации показателей качества конечной продукции. По оценкам Omdia, в текущем году объёмы выпуска продукции Samsung в сегменте DRAM вырастут примерно на 6 % до 8,2 млн кремниевых пластин. В следующем году прирост ограничится 1,3 %, что обеспечит выпуск 8,28 млн кремниевых пластин. Отчасти в этом будет виновата и память типа HBM4, на производстве которой старается сосредоточиться Samsung. Представители компании на условиях анонимности подтвердили изданию, что с прошлого года Samsung Electronics считает приоритетной задачу увеличения объёмов производства памяти без фактического расширения площадей. На производственной площадке в Пхёнтхэке обновляется имеющееся оборудование. Если в прошлом году она обеспечивала 49,5 % объёмов производства DRAM в программе компании, то в следующем доля этого комплекса вырастет до 55,4 %. Впрочем, у таких методов увеличения объёмов выпуска продукции есть свои ограничения по сравнению с экстенсивными, подразумевающими строительство новых линий. Производственный комплекс Samsung в Хвасоне в последние три года демонстрирует если не стагнацию, то отрицательную динамику, по данным осведомлённых источников. Здесь компания модернизирует старые производственные линии, в отдельных случаях перевооружая линии по выпуску 2D NAND с целью перевода их на тестирование и упаковку DRAM. В 2024 году на долю зрелых версий DRAM и NAND приходилось 30 % выручки Samsung, поэтому подобные линии скрывают в себе определённый потенциал дальнейшей модернизации. В Хвасоне расширение площадей тоже замедлилось, поскольку Samsung предпочла сосредоточиться на перевооружении уже существующих линий прежнего поколения. С другой стороны, конкурирующая SK hynix придерживается более агрессивной производственной политики. Она собирается по итогам текущего года увеличить объёмы обработки кремниевых пластин почти на 10 % до 6,66 млн штук. Если в прошлом году Samsung опережала SK hynix на 27 % по объёмам выпуска DRAM, то по итогам следующего года разрыв может сократиться до 13,6 %. Эксперты считают, что в условиях дефицита памяти подход SK hynix обеспечивает больше гибкости в насыщении рынка. При этом приоритеты Samsung в какой-то мере будут способствовать увеличению объёмов выпуска продукции благодаря повышению качества и модернизации техпроцессов. Более 90 % трафика на сайты интернет-магазинов сейчас генерируют боты, охотящиеся за DDR5
24.08.2026 [08:38],
Алексей Разин
Не секрет, что в последние пару лет дефицит оперативной памяти и рост цен на неё вызван бурным развитием вычислительной инфраструктуры для систем искусственного интеллекта, но родственные технологии при этом применяются и при поиске модулей памяти в рознице. Исследователи утверждают, что в ряде случаев более 90 % обращений к страницам интернет-магазинов, на которых продаётся память DDR5, сейчас генерируют программные роботы. 
Источник изображения: Crucial Получается, что из десяти визитов на профильные страницы некоего интернет-магазина приходится только одно обращение живого человека. Исследование DataDome показало, что 91 предложение DDR5 в онлайн-рознице в среднем получало около 50 000 обращений в час. В среднем на каждую страницу приходилось по 551 запросу, каждые 6,5 секунд кто-то проверял, есть ли желанная память в наличии. Боты обращались к страницам сайтов, на которых предлагались не только игровые модули DDR5, но и разъёмы для их установки на материнские платы. Кроме того, эти программные средства использовали методы более частого обновления интернет-страниц, чтобы не получать устаревшие данные о наличии товара из кеша. Для сравнения, в марте пропорция автоматизированных запросов достигала «6:1», поэтому по её увеличению можно судить о сохранении высокого спроса на оперативную память. У рядовых покупателей остаётся всё меньше шансов купить память по адекватным для текущего состояния рынка ценам, поскольку все самые интересные предложения достаются специализированным ботам. Windows 11 позволит пользователям вручную распределять ресурсы памяти между играми и ИИ
24.08.2026 [08:14],
Алексей Разин
Редкий центральный процессор в потребительском сегменте в наши дни лишён собственной графической подсистемы, она обычно конкурирует за ресурсы памяти с другими задачами, поэтому Microsoft экспериментирует с возможностью ручной регулировки перераспределения этих ресурсов. Это особенно важно в сфере роста популярности агентских ИИ-задач, которым нужно много памяти. 
Источник изображения: Nvidia До сих пор распределение ресурсов оперативной памяти в этом случае осуществлялось на уровне операционной системы в автоматическом режиме, но в новой экспериментальной сборке Windows 11 (29648.1000) от 17 августа текущего года появилась функция «IntelligentCarveout», которая в аннотации к релизу нигде открыто не упоминается. Данная функция, как выяснили энтузиасты, имеет отношение к процессу резервирования памяти для графической подсистемы или нужд ИИ. Пользователь сам сможет задавать предел использования оперативной памяти по объёму для соответствующих нужд. Наличие подобных регулировок ранее упоминалось в документации Nvidia. Системы семейства RX Spark могут предлагаться с 128 Гбайт оперативной памяти, ресурсы которой разделяются между графическим процессором и вычислительными ядрами. Технически, графическая подсистема в составе RTX Spark может получить доступ к большему объёму памяти, чем дискретные решения типа GeForce RTX 5090, которые штатно оснащаются только 32 Гбайт GDDR7. Правда, следует понимать, что разделяемая память типа LPDDR5x работает медленнее специализированной памяти, устанавливаемой непосредственно на графических платах. Зато оспаривать преимущество по объёму этой памяти уже не приходится. Китайская CXMT не собиралась создавать DRAM с нуля — она просто украла секреты Samsung, сообщил свидетель
21.08.2026 [16:23],
Павел Котов
Крупнейший в Китае производитель оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) рассчитывал незаконно получить интеллектуальную собственность Samsung для разработки собственных решений, сообщило издание Maeil Business со ссылкой на показания, данные в рамках соответствующего уголовного дела. 
Источник изображения: cxmt.com У CXMT не было даже намерения разрабатывать собственную технологию производства DRAM с нуля — кража интеллектуальной собственности у Samsung носила характер стратегического решения, заявили в руководстве корейской компании. Обвинения основаны на показаниях бывшего инженера Samsung, известного под именем Чон (Jeon), который проработал там 28 лет, а в 2016 году перешёл в CXMT. В апреле 2026 года его приговорили в семи годам тюремного заключения за незаконное получение информации о технологическом плане в 600 шагов, касающемся процессов производства DRAM вообще и техпроцесса 18 нм в частности. Повторение технологического плана не даёт гарантии получения работоспособного процесса, но он может значительно ускорить разработку решения — в нём раскрываются последовательность этапов, условия осаждения или травления, отжиг, очистка, параметры имплантации, температуры, давления, типы инструментов и другие аспекты. При разработке процессов производства памяти этот документ может исключить огромное число проб и ошибок и обозначить схему интеграции. Для гарантированного результата необходимы те же или совместимые средства, и следует надлежащим образом исправить их характеристики. Технологически план может не раскрывать полной архитектуры транзисторов или физическую конструкцию; разработчикам требуется информация о поперечных сечениях, масках, схемах компоновки, правилах проектирования, размерах устройств, геометрии конденсаторов и о прочих элементах. Эту информацию уже можно получить методами обратного проектирования — объединив эти сведения с технологическим планом, опытный инженер DRAM может восстановить значительную часть технологии. Samsung понадобились пять лет, чтобы разработать всю технологию с нуля. CXMT, в свою очередь, запустила производство памяти DDR4 в 2019 году на основе техпроцесса 22 нм; массовое производство с использованием технологии 18 нм началось в 2023 году. Возникает вопрос, каким образом CXMT могла разработать память G1 класса 22 нм и как перешла на более совершенный техпроцесс 18 нм. Корейский суд вынес решение, что китайский производитель незаконно присвоил интеллектуальную собственность Samsung. SanDisk изготовила первые чипы секретной памяти 3D Matrix Memory — причём на обычных 300-мм пластинах
20.08.2026 [17:59],
Геннадий Детинич
Девять лет назад компания SanDisk начала разработку секретной оперативной памяти 3D Matrix Memory по типу 3D NAND. Подобной памяти ждут все, чтобы за те же деньги получить намного больше бит с каждого кристалла DRAM. И хотя SanDisk говорит о впечатляющем прогрессе, компания не спешит начинать производство революционных чипов. Просто её время ещё не пришло, говорит руководство. 
Источник изображений: SanDisk Как сообщил технический директор SanDisk Алпер Илкбахар (Alper Ilkbahar) на мероприятии Investor Day 2026, впервые на 300-мм пластинах были изготовлены чипы 3D Matrix Memory и упакованы в корпуса для дальнейших испытаний. В ходе тестов удалось продемонстрировать работоспособность отдельных областей памяти объёмом несколько гигабит, а уровень производительности, по словам руководства, уже очень близок к запланированным спецификациям конечного продукта. Годом ранее на той же сцене Илкбахар уже рассказывал об этой технологии, исследования которой ведутся с 2017 года. По сути, 3D Matrix Memory представляет собой потенциальную альтернативу DRAM с трёхмерной структурой, которая должна обеспечить сопоставимую производительность при кратно большей ёмкости. Конечная цель — снизить стоимость бита вдвое по сравнению с DRAM. За прошедший год, опираясь на тестовый образец, созданный совместно с исследовательским партнёром — бельгийским центром IMEC, компания добилась устойчивого прогресса: прототипы производятся на стандартном оборудовании для 300-мм пластин и делается это в рамках стековой компоновки памяти в несколько уровней.  Несмотря на обнадёживающие результаты, Илкбахар подчеркнул, что до возможного выхода на рынок ещё очень далеко. «Работа продолжается, но это проект с далёким по времени горизонтом. Мы будем держать вас в курсе прогресса», — заявил он. При этом обновлённый план, если его можно так назвать, не содержит никаких конкретных сроков следующих этапов. В своё время компания обещала начать выпуск 32–64-Гбит чипов 3D Matrix Memory, но не называла каких-либо дат. Добавим, что нет полной ясности о типе ячейки 3D Matrix Memory. Большинство экспертов склоняются к мысли, что это память типа PCM на основе фазового перехода вещества в ячейке. Подобную память компания SanDisk разрабатывала вместе с Intel в рамках проекта 3D XPoint. Как вариант, это может быть память типа ReRAM. В своё время компания Western Digital, которая позже купила SanDisk, занималась разработкой памяти типа ReRAM с компанией 4DS. В любом случае компания SanDisk избегает разговоров на эту тему. Глава SK Group заявил, что из-за памяти всё вокруг будет дорожать
15.08.2026 [08:03],
Алексей Разин
Председатель совета директоров SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) последние недели потратил на участие в многочисленных интервью, делясь своими прогнозами на развитие полупроводниковой отрасли и сегмента инфраструктуры ИИ. Выступая на канале CNBC, он призвал готовиться к ухудшению дефицита памяти в следующем году и росту цен на все виды устройств, оснащаемых ею. 
Источник изображения: SK hynix Дисбаланс спроса и предложения на рынке памяти глава SK Group описывает буквально как «ситуацию, напоминающую военное время». По его словам, в следующем году дефицит памяти достигнет своего пика. Уже сейчас клиенты дочерней компании SK hynix требуют от неё поставок памяти в количествах, вдвое превышающих уровень нынешнего года. При этом на расширение производственных мощностей требуется от четырёх до пяти лет. Производители памяти пока просто не готовы к пропорциональному расширению мощностей, чтобы удовлетворить спрос в полной мере. Практически все крупные заказчики требуют от SK hynix удвоить объёмы поставок памяти. Компания старается наращивать объёмы производства изо всех сил, но всё равно отстаёт от потребностей рынка. Спрос на память будет расти в различных сегментах рынка, поскольку бум ИИ поднимает требования к объёму памяти на стороне конечных устройств. Например, помимо смартфонов, больше памяти потребуется и ПК, и носимым устройствам, поэтому спрос на память не будет сконцентрирован в одном сегменте. Множество ИИ-агентов будут работать на самых разных аппаратных платформах, и всем им потребуется больше памяти. К сожалению, рост цен на память провоцирует общую инфляцию, и от этого страдают все люди, как признал Чхэ Тхэ Вон. Выбор мест для строительства новых предприятий, по его словам, определяется не только наличием источников энергии, свободных площадей и водных ресурсов. При производстве чипов от 600 до 700 компаний участвуют в поставке материалов и химикатов. Если подобную инфраструктуру удастся развить на новом месте, то построить предприятие по выпуску памяти на нём можно без особых сомнений. Подстраховать себя от возможного спада спроса на память SK Group старается не только через заключение долгосрочных соглашений с клиентами, которые будут обновляться на ежегодной основе. Компания готова предлагать аренду микросхем памяти и создавать совместные предприятия по выпуску памяти. В составе SK Group есть поставщики энергетических решений (SK Innovation) и провайдеры связи (SK Telecom), поэтому холдинг может самостоятельно участвовать в строительстве ЦОД вместе со своими партнёрами. Инвесторам глава SK Group рекомендовал не продавать имеющиеся у них акции компании, выразив уверенность в долгосрочной тенденции к росту котировок и сохранении спроса на память. Китайская CXMT довела выход годных чипов DDR5 до 90 % — почти как у Samsung
13.08.2026 [00:39],
Николай Хижняк
Китайский производитель памяти CXMT достиг значительного прогресса в производстве памяти DDR5. Сообщается, что выход годной продукции теперь стабильно составляет 90 %. Это сопоставимо с показателями таких крупных производителей, как Samsung, SK hynix и Micron. 
Источник изображения: CXMT Согласно сообщениям индустриальных источников, CXMT использует 17-нм техпроцесс для производства чипов DDR5 и добилась выхода годной продукции на уровне 90 %. Компания отстаёт от Samsung по уровню выхода годной продукции всего на 2–3 %, у которой этот показатель составляет 92–93 %. Правда, южнокорейская компания применяет для производства памяти DDR5 более тонкий 10-нм техпроцесс. И всё же для CXMT это выдающееся достижение, поскольку, как отмечается, она всего за 12 месяцев запускает новые линии производства, в то время как другим производителям на это требуется два года. Ожидается, что к концу текущего года CXMT может выйти на ежемесячное производство 350–375 тыс. пластин DRAM. Портал TechPowerUp со ссылкой на публикацию MyDrivers отмечает, что производители ПК неоднозначно относятся к использованию памяти CXMT в своих продуктах. Например, компания Dell полностью запретила использование памяти CXMT в своих устройствах, а HP разрешает использовать память китайского производителя только в тех ПК, которые поставляются на рынок Китая. В то же время крупные тайваньские бренды, такие как Asus и Acer, стали чаще использовать память CXMT, поскольку такой подход предоставляет им больше гибкости в вопросе закупок компонентов. Однако обе компании используют память CXMT в ПК, в основном продаваемых только в материковом Китае, а также на некоторых развивающихся рынках. Производители компьютеров также с осторожностью относятся к закупкам памяти CXMT из-за опасений, что это может негативно сказаться на их отношениях с «большой тройкой» производителей памяти. Ранее сообщалось, что все производственные мощности трёх крупнейших поставщиков памяти (Samsung, SK hynix и Micron) уже зарезервированы на весь 2027 год. Это вынуждает производителей ПК обращаться к CXMT за дополнительными мощностями. Ожидается, что к концу этого года CXMT почти сравняется по объёмам производства памяти DDR5 с Micron. Однако чётких прогнозов относительно того, сколько памяти DRAM китайский гигант произведёт в следующем году, пока нет. Предполагается, что большая часть доступной памяти CXMT будет потребляться внутри материкового Китая и при этом практически не будет поставляться на западные рынки. Аналитики не поверили Micron: память перестанет дорожать прежними темпами уже в этом году
12.08.2026 [14:03],
Алексей Разин
Со слов производителей памяти, её дефицит даже и не думает уменьшаться, и проявит себя ещё сильнее в следующем году, но отраслевые аналитики подобной точки зрения в некоторых случаях не разделяют. Они считают, что прежних темпов роста цен на память мы не увидим уже в этом году. 
Источник изображения: Micron Technology В частности, South China Morning Post со ссылкой на экспертов Morgan Stanley сообщает, что текущий цикл роста на рынке памяти войдёт в завершающую фазу в четвёртом квартале текущего года, цены перестанут расти прежними темпами, а объёмы предложения продукции увеличатся. По данным Bernstein Research, контрактные цены на DRAM вырастут последовательно в третьем квартале всего лишь на 17 %, хотя кварталом ранее увеличились на все 65 %. Кроме того, экспансия китайских производителей памяти так или иначе начнёт влиять на мировой рынок, поскольку они будут наращивать свои мощности гораздо смелее зарубежных конкурентов. По прогнозам UBS, та же CXMT с конца 2025 по конец 2028 года увеличит ежемесячные объёмы обработки кремниевых пластин с чипами памяти с 240 до 466 тысяч штук. В показателях объёмов поставляемой продукции это позволит ей увеличить свою долю на мировом рынке с 7 до 10 %. Прочие аналитики тоже убеждены, что попадание китайской CXMT в тройку крупнейших мировых производителей памяти является лишь вопросом времени. Apple уже тестирует китайскую память CXMT, которую хочет использовать в iPhone и MacBook
10.08.2026 [04:49],
Алексей Разин
Пока некоторые источники оспаривают успех переговоров Apple с китайской CXMT о возможности поставок микросхем памяти LPDDR5X, издание The Wall Street Journal настаивает, что первая из компаний уже приступила к тестированию чипов памяти этой марки с целью дальнейшего их использования в составе смартфонов iPhone и компьютеров MacBook, предназначенных для китайского рынка. 
Источник изображения: CXMT Впрочем, Apple прекрасно осознаёт, что не сможет закупать у CXMT память без разрешения американских властей, а потому рассчитывает его получить. Одним из преимуществ памяти китайской CXMT в глазах Apple является её потенциально более низкая стоимость — при условии, что американскому гиганту удастся договориться о желаемой цене. По данным WSJ, компании HP Inc. и Acer уже начали использовать память CXMT в устройствах, продаваемых за пределами американского рынка. По мнению опрошенных WSJ юристов, действующее законодательство США не запрещает Apple закупать у CXMT готовые стандартные чипы памяти, которые не требуют адаптации под нужды этого заказчика, а также позволяет вести переговоры с китайским поставщиком о ценах. Официальное одобрение со стороны действующего правительства нужно Apple в большей мере для подстраховки на случай очередных колебаний настроения американского президента. Как отмечает источник, использование стандартной памяти CXMT, которая в своём базовом исполнении уступает продукции западных конкурентов, потребует от Apple адаптации своих устройств под её характеристики. Даже если Apple и CXMT удастся договориться в принципе, у последней не осталось дополнительных производственных мощностей, чтобы поставить первой память в нужных количествах в текущем году. Тем же HP Inc. и Acer досталось очень мало памяти CXMT, и они рассчитывают увеличить квоты на следующий год. По цене на общих условиях продукция CXMT тоже не выглядит более привлекательной по сравнению с изделиями западных конкурентов. Эта китайская компания сейчас занимает четвёртое место в мире по выручке, контролируя 7 % рынка оперативной памяти, в первом квартале её выручка выросла более чем в восемь раз в годовом сравнении. Сейчас CXMT отдаёт приоритет в снабжении своей продукцией китайским клиентам, и хотя новые предприятия тоже строятся, они начнут свою работу не ранее 2028 года. Аналитики ожидают, что в обозримом будущем CXMT войдёт в тройку ведущих производителей оперативной памяти в мире. Память на чипах CXMT покорила рубеж DDR5-8800 стараниями Colorful
09.08.2026 [07:30],
Алексей Разин
Исторически от четвёртого по величине производителя оперативной памяти в мире — китайской CXMT, не ожидали многого в плане технических характеристик, но её продукция регулярно доказывает свою конкурентоспособность. Например, основанные на микросхемах CXMT модули памяти Colorful недавно продемонстрировали способность работать в режиме DDR5-8800 в составе платформы AMD X870E. 
Источник изображения: CXMT Адаптация микрокода материнских плат тайваньских производителей к использованию памяти CXMT ускорилась после усиления дефицита оперативной памяти. Сама компания выпускать DDR5 начала только в ноябре 2025 года, её чипы устанавливают на свои модули крупнейшие китайские производители, а недавно в этом была замечена и Corsair. В материнской плате Colorful iGame X870E Vulcan W OC модули памяти той же марки серии iGame Shadow II DDR5-6000 показали способность работать в режимах DDR5-8812 и DDR5-8817 соответственно. Разобрать значения таймингов по доставшимся Tom’s Hardware снимкам экрана было проблематично, но обычно в режиме DDR5-8800 память работает при напряжении 1,45 В и значениях таймингов 42-55-55-140. В ходе эксперимента использовались модули памяти объёмом 16 Гбайт. Интерес к микросхемам DRAM производства CXMT всё настойчивее проявляют крупные производители компьютеров типа HP Inc., Asus и Acer, и даже Apple пытается договориться об использовании этой запрещённой к импорту в США памяти за пределами регионального рынка. Тайваньская Nanya намерена заработать на ИИ, вложив $10,7 млрд в передовую фабрику DRAM с EUV
07.08.2026 [17:39],
Анжелла Марина
Тайваньский производитель памяти Nanya утвердил инвестиции в размере 346,6 млрд тайваньских долларов (около $10,7 млрд) для завершения строительства фабрики Fab 5A и перехода на передовые техпроцессы. Предприятие, которое уже находится на этапе строительства, должно начать выпуск DRAM с использованием EUV-литографии во второй половине 2027 года, сообщает OC3D. 
Источник изображения: overclock3d.net На новом заводе компания планирует выпускать память 10-нм класса, включая поколения 1C, 1D и 1E. При этом пилотное производство чипов поколения 1C уже началось, тогда как более современные 1D и 1E пока находятся в разработке. Согласно плану, после запуска мощность будут наращивать поэтапно: сначала до 30 тысяч пластин в месяц в 2028 году и до 35,9 тысяч в 2029 году. Проектная мощность предприятия составит 45 тысяч пластин ежемесячно. Общий объём капитальных затрат на Fab 5A оценивается примерно в $16 млрд. Внедрение EUV-литографии в рамках 10-нм класса позволит компании расширить выпуск более современных видов памяти, а не дублировать уже освоенные узлы. Одновременно производитель готовится завершить квалификацию чипов LPDDR5 у своих заказчиков до конца текущего года. Несмотря на сравнительно небольшую долю мирового рынка DRAM — около 1,6 %, Nanya в последние кварталы смогла заметно увеличить финансовые показатели благодаря росту цен на DDR3 и DDR4. По данным TrendForce, сейчас на DDR5 приходится лишь около 10 % выручки компании, поэтому запуск Fab 5A должен существенно увеличить её производственные возможности в этом сегменте. Кроме того, ещё один тайваньский производитель памяти Winbond ранее объявил о планах удвоить общий объём выпуска DRAM в битовом исчислении. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
