Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix вложит $6,8 млрд в строительство первого предприятия по выпуску памяти в Йонъине
26.07.2024 [11:47],
Алексей Разин
Ещё в 2019 году компания SK hynix намеревалась начать развитие производственного кластера в Йонъине, но соответствующим планам помешала пандемия, и к идее развития данной площадки по выпуску микросхем памяти она вернулась только весной этого года, подтвердив готовность вложить в проект около $91 млрд до 2046 года. На первом этапе, впрочем, расходы ограничатся $6,8 млрд. 
Источник изображения: SK hynix Соответствующая сумма, как отмечает Reuters, будет потрачена SK hynix на возведение первого из четырёх предприятий, к строительству компания рассчитывает приступить в марте следующего года. По состоянию на март текущего года строительная площадка была готова к дальнейшим работам чуть более чем на треть. Возводимый SK hynix завод по выпуску памяти должен стать крупнейшим в мире. Какой ассортимент продукции он будет выдавать после ввода в эксплуатацию, пока сказать сложно, но из комментариев представителей SK hynix на минувшей квартальной конференции известно, что между типами памяти HBM и DDR перераспределять производственные ресурсы компания может достаточно гибко. Власти Южной Кореи, которые не очень щедры на субсидии в полупроводниковой сфере, предпочитают участвовать в подобных проектах налоговыми льготами или инфраструктурными работами. В Йонъине они также взялись обеспечить будущее предприятие SK hynix необходимыми энергетическими ресурсами. По планам южнокорейских властей, в текущем году страна сможет экспортировать памяти семейства HBM на сумму более $120 млрд. Компания SK hynix является крупнейшим производителем микросхем этого типа. Прибыль SK hynix достигла максимума за шесть лет на фоне ИИ-бума
25.07.2024 [05:12],
Алексей Разин
Не секрет, что южнокорейская компания SK hynix является лидером рынка памяти типа HBM, контролируя примерно половину сегмента и обгоняя номинально более крупного производителя памяти в лице Samsung. По итогам минувшего квартала операционная прибыль SK hynix выросла до максимального уровня за шесть лет и сменила наблюдавшиеся год назад операционные убытки. 
Источник изображения: SK hynix Выручка SK hynix в прошлом квартале оказалась несколько выше ожиданий аналитиков, она достигла $11,86 млрд в пересчёте по текущему курсу, увеличившись на 124,7 % в годовом сравнении и на 32 % последовательно. Последнюю часть динамики руководство компании объясняет высоким спросом на память типа HBM и сохраняющейся тенденции к росту цен на микросхемы памяти в целом. Непосредственно на направлении HBM компания увеличила выручку более чем на 250 %. Операционная прибыль компании во втором квартале достигла $3,96 млрд, завершившийся период стал для SK hynix уже третьим подряд кварталом без убытков, которые сохранялись на протяжении основной части прошлого года. Норма операционной прибыли достигла 33 %. Поставки HBM3E компания начала ещё в марте, но 12-ярусные микросхемы этого поколения SK hynix начнёт выпускать лишь в текущем квартале, чтобы к четвёртому наладить их поставки своим клиентам, в числе которых Nvidia наверняка займёт первое место по приоритету. В мае руководство SK hynix уже отмечало, что компания обеспечена заказами на поставку различных типов HBM до конца 2025 года. По оценкам сторонних аналитиков, HBM к концу текущего года будет формировать до 20 % прибыли SK hynix. Во втором полугодии спрос на микросхемы памяти начнёт подогреваться устройствами, поддерживающими периферийные вычисления в рамках систем искусственного интеллекта — смартфонами и ПК нового поколения, как отмечают представители компании. Они также признают, что увеличение объёмов выпуска HBM вынуждает её сократить объёмы производства обычной DRAM. При этом величина капитальных затрат SK hynix по итогам года окажется выше, чем было заложено в прогноз в начале текущего года. Нехватка мощностей для выпуска DRAM сохранится и в следующем году. Поставлять 12-слойные микросхемы HBM4 компания рассчитывает со второй половины 2025 года. В текущем году более половины всех поставок HBM придётся на HBM3E в натуральном выражении. После публикации квартального отчёта SK hynix столкнулась со снижением курса акций на 6,7 %, но в большей степени это было продиктовано общей коррекцией рынка. Электроника будет дорожать из-за роста цен на DRAM и NAND в этом и следующем году
22.07.2024 [20:20],
Анжелла Марина
Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM. 
Источник изображения: Micron Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти. По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки. 
Источник изображения: TrendForce Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств. В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента. 
Источник изображения: TrendForce Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году. Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса. JEDEC определилась с предварительным стандартом памяти HBM4
13.07.2024 [06:54],
Анжелла Марина
Ассоциация JEDEC опубликовала предварительную спецификацию памяти HBM4 четвёртого поколения, которая обещает значительное увеличение объёма и пропускной способности для систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. 
Источник изображения: AMD JEDEC представила спецификацию памяти HBM4 (High-Bandwidth Memory) нового поколения, приближаясь к завершению разработки нового стандарта DRAM, сообщает Tom's Hardware. Согласно опубликованным данным, HBM4 будет поддерживать 2048-битный интерфейс на стек, хотя и с более низкой скоростью передачи данных по сравнению с HBM3E. Кроме того, новый стандарт предусматривает более широкий диапазон слоёв памяти, что позволит лучше адаптировать её для различных типов приложений. Новый стандарт HBM4 будет поддерживать стеки объёмом 24 Гбайт и 32 Гбайт, а также предложит конфигурации для 4-, 8-, 12- и 16-слойных стеков с вертикальными межсоединениями TSV. Комитет JEDEC предварительно согласовал скоростные режимы до 6,4 Гт/с, но при этом ведутся дискуссии о возможности достижения ещё более высокой скорости передачи данных. 16-слойный стек на основе 32-гигабитных чипов сможет обеспечить ёмкость 64 Гбайт, то есть в этом случае процессор с четырьмя модулями памяти сможет поддерживать 256 Гбайт памяти с пиковой пропускной способностью 6,56 Тбайт/с при использовании 8192-битного интерфейса. Несмотря на то, что HBM4 будет иметь удвоенное количество каналов на стек по сравнению с HBM3 и больший физический размер для обеспечения совместимости, один контроллер сможет работать как с HBM3, так и с HBM4. Однако для размещения различных формфакторов потребуются разные подложки. Интересно, что JEDEC не упомянула о возможности интеграции памяти HBM4 непосредственно в процессоры, что, пожалуй, является наиболее интригующим аспектом нового типа памяти. Ранее компании SK hynix и TSMC объявили о сотрудничестве в разработке базовых кристаллов HBM4, а несколько позднее на Европейском симпозиуме 2024, TSMC подтвердила, что будет использовать свои технологические процессы 12FFC+ (12-нм класс) и N5 (5-нм класс) для производства этих кристаллов. Процесс N5 от TSMC позволяет интегрировать больше логики и функций, с шагом межсоединений от 9 до 6 микрон, что критически важно для интеграции на кристалле. Процесс 12FFC+, основанный на 16-нм FinFET-технологии TSMC, обеспечит производство экономически эффективных базовых кристаллов, соединяющих память с хост-процессорами с помощью кремниевых подложек. Отметим, что HBM4 в первую очередь разработана для потребностей генеративного искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, которые требуют обработки очень больших объёмов данных и выполнения сложных вычислений. Поэтому маловероятно, что мы увидим HBM4 в клиентских приложениях, таких как GPU. Компания SK hynix рассчитывает наладить выпуск HBM4 в 2026 году. Забастовка на предприятиях Samsung может сорвать выпуск памяти HBM
12.07.2024 [09:56],
Алексей Разин
До сих пор руководству Samsung Electronics удавалось не только игнорировать требования профсоюза, которые были выдвинуты ещё в начале года, но и заявлять о неспособности начавшейся забастовки сотрудников существенно влиять на производственную деятельность компании. Решительно настроенные протестующие, между тем, грозят своими действиями сорвать выпуск микросхем HBM, весьма востребованных на рынке. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает Bloomberg, лидеры профсоюза теперь призывают сотрудников предприятия Samsung, задействованного в производстве HBM, присоединиться к забастовке. Несколько сотен сотрудников предприятия в Пхёнтхэке, выпускающего память этого класса, в четверг и пятницу вышли на улицу для участия в забастовке. По замыслу руководящих акцией протеста представителей профсоюза, потенциальный ущерб на столь важном для компании направлении деятельности должен сделать руководство Samsung более сговорчивым в вопросе повышения уровня оплаты труда. В условиях, когда Samsung пытается стать доверенным поставщиком Nvidia, подобные риски могут оказаться существенными, чтобы руководство компании обратило внимание на требования протестующих. Хотя Samsung и является крупнейшим в мире производителем микросхем памяти, в сегменте HBM компания сильно отстаёт от более мелкой южнокорейской компании SK hynix, которая контролирует половину рынка. Акции Samsung утром в пятницу потеряли в цене до 4 %, но подобное движение наблюдалось на азиатских рынка в целом, поэтому его нельзя назвать выраженной реакцией на действия профсоюза. Руководство Samsung выразило надежду, что ему удастся возобновить переговоры с протестующими, а действия последних не окажут влияния на способность компании выполнять свои обязательства перед клиентами. Эксперты ожидают, что даже в условиях высокой автоматизации производства передовых компонентов типа HBM необходимость привлечения персонала для контроля качества сохраняется, и действия персонала, участвующего в забастовке, могут сказаться на качестве изготавливаемой продукции, как минимум. В составе Samsung создана специальная команда по разработке памяти HBM
05.07.2024 [08:18],
Алексей Разин
В мае этого года бывший глава всего полупроводникового бизнеса Samsung Кюн Ки Хён (Kyung Kye-hyun) был назначен руководителем исследовательского подразделения компании, и теперь по его инициативе разработкой перспективных технологий в сфере производства HBM будет заниматься отдельная команда специалистов. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает Business Korea, в сферу ответственности подразделения HBM Development Team войдёт создание более эффективных вариантов HBM3 и HBM3E, а также разработка перспективной памяти типа HBM4. Ранее Samsung уже создала рабочую группу по повышению конкурентоспособности компании на рынке HBM, и теперь её участники вольются к более крупный коллектив новой команды. С 2015 года разработкой HBM в структуре Samsung Electronics занимались специалисты подразделения, отвечающего за выпуск памяти. В феврале этого года южнокорейский гигант доложил об успехах в создании образцов 12-ярусного стека HBM3E, который может обладать объёмом 36 Гбайт. Теперь разработкой HBM и сопутствующих технологий будет заниматься команда в составе подразделения Device Solutions. Компания остро нуждается в повышении своей конкурентоспособности на рынке HBM, поскольку сейчас Samsung является крупнейшим производителем микросхем памяти, но конкретно на прибыльном и быстро растущем рынке HBM компания уступает SK hynix. SK hynix похвасталась успехами в разработке 3D DRAM — выход годной продукции на экспериментальной линии превысил 50 %
24.06.2024 [10:58],
Алексей Разин
На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции. 
Источник изображения: SK hynix Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology. По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой. Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук. Micron собирается наладить выпуск памяти HBM в Малайзии
20.06.2024 [08:02],
Алексей Разин
Стремление азиатских производителей памяти обзавестись предприятиями на территории США вовсе не означает, что исконно американские компании не собираются строить новые заводы за пределами страны. Например, Micron Technology рассматривает возможность организации выпуска передовой памяти HBM в Малайзии, и в следующем году рассчитывает занять до 25 % мирового рынка такой памяти.  По данным TrendForce, на которые ссылается Nikkei Asian Review, подобная доля рынка сейчас принадлежит Micron Technology и в сегменте DRAM в целом. На рынке HBM в этом смысле Micron пока не добилась существенных успехов, поскольку конкурирующим SK hynix и Samsung Electronics принадлежат 50 и 42,4 % этого сегмента соответственно. Таким образом, чтобы занять необходимые 25 % рынка HBM, компании Micron нужно по итогам следующего года увеличить свою долю более чем в три раза. Micron собирается нарастить не только производственные мощности, но и увеличить количество исследовательских центров и экспериментальных линий, которые помогут компании быстрее выводить на рынок новые разновидности HBM. Помимо экспансии предприятий в родном американском штате Айдахо, компания задумывается о строительстве первого для себя предприятия в Малайзии по обработке кремниевых пластин. Впрочем, тестированием и упаковкой микросхем памяти компания в этой стране уже занимается. Кроме того, её крупнейшее предприятие по производству HBM расположено в центральной части Тайваня, и оно тоже будет расширяться. Samsung пока не удаётся пройти все этапы сертификации своей памяти HBM3E для её поставок компании Nvidia, а вот Micron свои аналогичные чипы для ускорителей H200 уже поставляет, как и лидирующая на рынке SK hynix. Корейскому гиганту Samsung приходится довольствоваться поставками более зрелых видов HBM для нужд AMD, Google и Amazon. Компания Nvidia является крупнейшим покупателем микросхем HBM, но она приобретает не более 48 % годовой программы выпуска памяти всех трёх мировых производителей, по оценкам Morgan Stanley. США хотят усложнить Китаю доступ к оборудованию для выпуска памяти HBM
19.06.2024 [06:25],
Алексей Разин
Санкции США в отношении Китая в целом направлены на ограничение технологического развития страны, поэтому теоретическая способность китайских производителей выпускать передовую память типа HBM непосредственным образом беспокоит американских чиновников, и они готовы подталкивать Японию и Нидерланды к ограничению поставок в Китай профильного оборудования. 
Источник изображения: SK hynix Как сообщает Bloomberg, посетить Нидерланды и Японию намеревается заместитель министра торговли США Алан Эстевез (Alan Estevez), чтобы убедить местных поставщиков оборудования ограничить отгрузку в Китай тех систем, которые позволяют изготавливать современную скоростную память типа HBM, пригодную для использования в ускорителях вычислений и сфере искусственного интеллекта. Как известно, китайская компания CXMT такое оборудование даже уже закупила впрок, хотя разработку собственной памяти HBM ещё не завершила, и сделано это было заблаговременно как раз из-за опасений по поводу возможного введения санкций со стороны США и их союзников. Нидерландская ASML и японская Tokyo Electron снабжают клиентов оборудованием для производства кристаллов оперативной памяти, из которых потом формируются стеки HBM. По данным Bloomberg, работой над созданием HBM в Китае сейчас занята не только CXMT, но и подразделение YMTC (Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co), а также телекоммуникационный гигант Huawei Technologies. Как отмечается, Япония и Нидерланды более или менее синхронизировали свои ограничения на поставку оборудования в Китай с американскими, но не столь строго подходят к предоставлению китайским клиентам услуг по сервисному обслуживанию уже проданного оборудования. Американские поставщики Applied Materials и Lam Research с такими ограничениями уже столкнулись, теперь власти США попытаются добиться от коллег в Японии и Нидерландах выровнять условия для всех участников рынка, работающих в Китае. В Нидерландах американской делегации придётся иметь дело с вновь избранным составом правительства, если визит состоится в июле. Как и власти Японии, оно намерено отстаивать интересы национальных поставщиков оборудования, а потому на введение дополнительных ограничений со стороны этих государств может уйти дополнительное время. Примечательно, что в недрах американского парламента также родился законопроект, запрещающий получающим в США субсидии производителям полупроводниковых компонентов закупать для оснащения своих китайских предприятий оборудование местных поставщиков. Ранее американские власти также ввели ограничения на расширение производственных мощностей в Китае для тех компаний, которые получают в США государственную поддержку по «Закону о чипах». Samsung собралась устанавливать память HBM4 прямо на кристаллы GPU
17.06.2024 [22:30],
Анжелла Марина
Компания Samsung объявила о планах предложить клиентам своего контрактного производства чипов передовую технологию пространственной компоновки. Проще говоря, Samsung сможет выпускать чипы, состоящие из нескольких кристаллов, уложенных один на другой. Это позволит Samsung лучше конкурировать с крупнейшим контрактным производителем чипов — TSMC. 
Источник изображения: Kedglobal.com Как сообщает The Korea Economic Daily, на недавно прошедшем форуме Samsung Foundry в Сан-Хосе компания анонсировала запуск услуги по 3D-упаковке с применением стеков HBM (High Bandwidth Memory). В настоящее время память HBM в основном использует 2.5D-технологию, то есть размещается в непосредственной близости от микросхемы GPU или другого чипа на общей кремниевой подложке. Однако Samsung готова устанавливать стеки HBM непосредственно на кристаллы процессоров. Это обеспечит ещё более высокую скорость передачи данных и уменьшит задержки, поскольку позволит отказаться от пересылки данных через подложку. Ожидается, что 3D-упаковка появится на рынке для HBM четвёртого поколения, которое также называют HBM4. Данная память начнёт активно применяться в 2025–2026 годах. Интересно, что анонс Samsung последовал после презентации генерального директора NVIDIA Дженсена Хуанга (Jensen Huang) на выставке Computex 2024, где он представил Rubin — архитектуру ускорителей вычислений следующего поколения, которая как раз будет использовать памяти HBM4. Samsung планирует предлагать 3D-упаковку с HBM4 «под ключ», то есть интегрировать на чипы стеки памяти собственного производства. Отдел Samsung, отвечающий за передовую упаковку, будет устанавливать стеки HBM, произведенные в подразделении Samsung по выпуску памяти, с графическими процессорами, изготовленными подразделением контрактного производства. Компания называет свою новую технологию упаковки SAINT-D, сокращенно от Samsung Advanced Interconnection Technology-D. «3D-упаковка снижает энергопотребление и задержку обработки, улучшая качество электрических сигналов полупроводниковых чипов», — заявил представитель Samsung Electronics. Услуги по 3D-упаковке HBM4 «под ключ» планируется запустить в 2027 году. 
Источник изображения: Trendforce.com В связи с растущим спросом на высокопроизводительные чипы HBM, по прогнозам, в 2025 году на память данного типа придётся 30 % от всего рынка DRAM в следующем году против 21 % в 2024 году. Власти Южной Кореи готовы поддержать производителей оборудования и материалов для выпуска памяти типа HBM
09.06.2024 [03:23],
Алексей Разин
В прошлом году южнокорейские компании доминировали на рынке памяти HBM, причём более мелкая в глобальном масштабе SK hynix контролировала 53 % сегмента, а Samsung Electronics занимала 38 %. К 2029 году ёмкость рынка HBM может вырасти с $141 до $377 млрд. Власти Южной Кореи задумались о дополнительных мерах поддержки производителей оборудования и материалов для выпуска HBM. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом на уходящей неделе сообщило издание Business Korea, сославшись на запущенный правительством страны процесс пересмотра политики в сфере поддержки производителей ключевых для национальной экономики компонентов. Экспорт полупроводниковой продукции определяет значительную часть ВВП Южной Кореи, поэтому власти страны стараются оказывать поддержку приоритетным направлениям деятельности местных производителей. Значимость сферы производства HBM для мировой отрасли информационных технологий сейчас сложно оспаривать, но проблема заключается в том, что новейшие методы упаковки стеков памяти данного типа полагаются на использование оборудования японских и австрийских поставщиков. Чтобы усилить позиции национальных производителей и обеспечить стабильность цепочек поставок, власти Южной Кореи хотели бы предложить дополнительные меры поддержки локальным производителям оборудования и материалов, используемых при выпуске передовых типов памяти HBM. Для этого необходимо внести соответствующие поправки в законодательные акты. По мнению экспертов, разработка корейского оборудования для создания стеков HBM с количеством слоёв более 12 штук потребует существенных затрат на исследования, поэтому государственные субсидии окажутся в данном случае более чем уместными. Участники рынка также предложили включить в перечень приоритетных направлений развития корейской промышленности выпуск контроллеров для силовой электроники, поскольку они сейчас востребованы в автомобилестроении, которое наряду с полупроводниковой отраслью является важной частью южнокорейской экономики. SK hynix удалось свести брак при выпуске HBM3E до скромных 20 %
24.05.2024 [15:33],
Алексей Разин
Производство микросхем HBM требует большого количества кремниевых пластин не только по причине большой общей площади кристаллов, но и из-за достаточно высокого уровня брака. Если исторически уровень выхода годных кристаллов при выпуске HBM не превышал 40–60 %, то SK hynix удалось поднять показатель до 80 %. 
Источник изображения: SK hynix Об этом в интервью Financial Times заявил директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун (Kwon Jae-soon). Одновременно компании удалось сократить длительность производственного цикла HBM3E на 50 %. До сих пор считалось, что уровень выхода годной продукции HBM3E при производстве SK hynix не превышал 60–70 %, но и это считалось весьма приличным показателем. Заявляемый же уровень в 80 % превосходит эти ожидания и демонстрирует успех SK hynix в оптимизации своих производственных процессов. В 2025 году SK hynix рассчитывает освоить массовое производство памяти HBM4 в 12-ярусном исполнении, её партнёром в этой сфере выступает тайваньская TSMC. Конкурирующая Samsung рассчитывает освоить выпуск памяти этого поколения только в 2026 году. К тому времени SK hynix уже собирается наладить выпуск 16-ярусных стеков HBM4. Упоминая о планах Samsung наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E в текущем полугодии, представитель SK hynix отметил, что клиентами компании сейчас наиболее востребованы именно 8-ярусные стеки HBM3E, поэтому на их производстве компания и сосредоточена в настоящее время. Сама SK hynix собирается начать поставки 12-ярусных стеков HBM3E в третьем квартале. Высокий спрос HBM вызовет рост цен на DDR5 и DDR4
21.05.2024 [06:35],
Алексей Разин
Как отмечает TrendForce, в марте и апреле цены на микросхемы памяти типа DDR4 стабилизировались после примерно четырёх месяцев непрерывного роста, но этой стабильности теперь угрожает ситуация с балансом спроса и предложения на микросхемы HBM, которые могут выпускаться на тех же предприятиях, что и DDR4 или DDR5. Цены на память двух последних типов в текущем квартале могут вырасти минимум на 5–10 %. 
Источник изображения: Micron Technology Материал на страницах TrendForce ссылается на опубликованную Nikkei на прошлой неделе новость о намерениях поставщиков памяти поднять цены на DRAM на 5 или 10 % относительно первого квартала. Представители ресурса поясняют, что на данном этапе основным фактором, вызывающим рост цен на DDR4/DDR5, станет дефицит мощностей для выпуска HBM. Как уже отмечалось накануне, производство последнего типа памяти требует большего количества кремниевых пластин, поскольку кристаллы HBM сами по себе крупнее, да и уровень брака при производстве стеков HBM достаточно высок. Переориентируя производственные линии DRAM под выпуск более прибыльной HBM, компании невольно сокращают мощности, на которых можно выпускать DDR, и это предсказуемо создаёт условия для роста цен. В сегменте HBM темпы строительства новых предприятий будут зависеть от прибыльности данного бизнеса. Сейчас все квоты на производство HBM у основных поставщиков уже распределены не только до конца текущего, но и на значительную часть следующего года. Новые же предприятия будут введены в строй не ранее следующего года. На рынок при этом выходят ускорители Nvidia с увеличенным объёмом памяти типа HBM3E, это лишь повышает спрос на соответствующие микросхемы. Стало быть, формируются условия для роста цен на прочие типы DRAM и дефицит предложения. Полупроводниковый бизнес Samsung Electronics возглавит новый руководитель
21.05.2024 [05:18],
Алексей Разин
Южнокорейская компания Samsung Electronics традиционно сильно зависит от производства памяти, но многолетние попытки снизить эту зависимость не помешали ей на этой неделе назначить в качестве руководителя полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна (Jun Young Hyun), который с 2000 года участвовал в разработке DRAM и NAND разных поколений, а также руководил бизнесом компании по выпуску аккумуляторов. 
Источник изображения: BusinessWire На этом посту новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменяет Кюн Ки Хёна (Kyung Kye-hyun), который отныне будет руководить исследовательским подразделение Advanced Institute of Technology и курировать перспективные направления бизнеса. Как считается, данные перестановки произошли после того, как крупнейший производитель памяти в мире отстал от своего соперника SK hynix в сфере разработки и производства HBM, весьма востребованной в эпоху систем искусственного интеллекта. В этом году SK hynix столкнулась с самым быстрым ростом выручки с 2010 года, её акции подорожали с начала текущего года на 36 %. Этой компании удалось стать крупнейшим поставщиком чипов HBM для ускорителей вычислений. SK hynix вынашивает планы по расширению производства HBM, подразумевающие многомиллиардные инвестиции не только на территории Южной Кореи, но и в США. Samsung в текущем году рассчитывает увеличить объёмы поставок HBM минимум в три раза и приступит к массовому производству 12-ярусных стеков HBM3E в текущем квартале. Фондовый рынок на смену руководства профильного подразделения Samsung отреагировал вяло, акции компании потеряли в цене менее 1 %. На память HBM к концу года придётся 35 % производства DRAM по передовым техпроцессам
20.05.2024 [17:12],
Алексей Разин
Экспансию производства памяти типа HBM с не совсем очевидной стороны попробовали оценить аналитики TrendForce. По их мнению, к концу этого года на производство HBM будут уходить до 35 % кремниевых пластин, обрабатываемых с использованием передовой литографии, применяемых для выпуска оперативной памяти (DRAM). 
Источник изображения: Micron Technology Если рассматривать техпроцессы 10-нм класса в целом, то они к концу года, по мнению специалистов TrendForce, будут использоваться для обработки до 40 % кремниевых пластин, используемых при производстве памяти DRAM. Как можно понять, основная часть таких пластин будет направляться в производство HBM. Во-первых, при выпуске HBM не так уж высок уровень выхода годной продукции, он сейчас составляет 50 или 60 % от силы. Во-вторых, кристаллы чипов памяти HBM имеют на 60 % большую площадь по сравнению с другими популярными типами DRAM, поэтому с одной пластины можно получить меньше чипов HBM, пригодных для использования по назначению. Соответственно, для выпуска памяти HBM по этой причине требуется больше кремниевых пластин. Если 35 % передовых пластин к концу года будут использоваться при производстве HBM, то оставшиеся 65 % распределят между собой LPDDR5X и DDR5. Более того, эксперты TrendForce считают, что HBM3E в этом году успеет стать доминирующим на конвейере типом памяти HBM. Компании SK hynix и Micron её уже выпускают в массовых количествах для Nvidia, используя техпроцессы 10-нм класса типа «бета» для обработки кремниевых пластин. Компания Samsung Electronics готовится начать поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia в середине текущего года. Она будет использовать техпроцессы 10-нм класса типа «альфа» для обработки соответствующих кремниевых пластин. Спрос на кремниевые пластины при выпуске DRAM растёт ещё и по причине повышения среднего объёма памяти в удельном выражении на одно устройство. Больше всего тенденция выражена в серверном сегменте, где средний объём ОЗУ для сервера достиг 1,75 Тбайт из-за высокой популярности систем искусственного интеллекта. К концу текущего года, помимо прочего, DDR5 начнёт доминировать на рынке ОЗУ, перевалив за 50 % в показателях доли рынка. Во втором полугодии вырастет сезонный спрос как на HBM3E, так и на DDR5 и LPDDR5X. При этом производители памяти будут осторожно наращивать свои мощности после ударившего по ним в прошлом году кризиса перепроизводства. Поскольку больше кремниевых пластин будет требоваться для выпуска HBM3E, то может возникнуть дефицит сырья для производства DDR5 и LPDDR5X. Цены на два последних типа памяти могут в результате вырасти. Производители DRAM при этом могут столкнуться с полной загрузкой своих существующих предприятий к концу этого года, а планы по расширению мощностей они будут реализовывать лишь в следующем, поэтому в какой-то момент может сложиться дефицит мощностей по выпуску микросхем DRAM. Ускорители вычислений типа Nvidia GB200, оснащаемые 384 Гбайт памяти HBM3E в максимальной конфигурации, будут только усиливать спрос на память соответствующего типа. Разработка HBM4 тоже будет поддерживать тенденцию к росту спроса на кремниевые пластины, поэтому нехватка мощностей может стать серьёзной проблемой для производителей прочих типов DRAM. Финансировать же строительство новых линий они готовы лишь в том случае, если цены на память будут достаточно высокими, чтобы получать подходящую для этого прибыль. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
