Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Nvidia приоткрыла характеристики ИИ-ускорителей Rubin и Rubin Ultra, и впервые упомянула Feynman с загадочной HBM
19.03.2025 [08:06],
Алексей Разин
Более двух с половиной часов длилось выступление основателя и бессменного генерального директора Nvidia Дженсена Хуанга (Jensen Huang) на технологической конференции GTC 2025. О новинках компании её глава рассказал ближе к концу своей презентации, впервые прозвучало имя преемника ускорителей семейства Rubin, который выйдет на рынок в 2028 году. 
Источник изображения: Nvidia Новейшие ускорители Nvidia к тому времени перейдут на архитектуру Feynman, очевидным образом названную в честь американского физика Ричарда Фейнмана (Richard Feynman), удостоившегося Нобелевской премии и принявшего участие в создании ядерной бомбы в середине сороковых годов прошлого века. Характеристики и предполагаемый уровень производительности ускорителей поколения Feynman пока не приводятся, но Nvidia упоминает об использовании ими памяти HBM следующего за HBM4E поколения. Любопытно, что из числа центральных процессоров этим ускорителям сопутствуют только чипы с архитектурой Vera, которые дебютируют в 2026 или 2027 году одновременно с ускорителями Rubin. Собственно, разделение имени и фамилии выдающихся учёных для Nvidia в принятой системе условных обозначений становится нормой. Вслед за Blackwell на рынке должны будут появиться решения, названные в честь американского астронома Веры Рубин (Vera Rubin). Своей фамилией она невольно поделится с ускорителями вычислений, которые будут выходить в 2026 и 2027 годах, а центральные процессоры унаследуют её имя. Таким образом, преемники процессоров Vera наверняка получат обозначение Richard, но в планах Nvidia они пока не упоминаются. Процессоры Vera будут сочетать 88 ядер с Arm-совместимой архитектурой собственной разработки и 176 потоков. 
Источник изображения: Nvidia Во время своего выступления Дженсен Хуанг признался, что при обозначении ускорителей B200 семейства Blackwell его компания совершила небольшой просчёт, использовав сочетание NVL72. Поскольку на одной подложке расположены по соседству два кристалла, правильнее было бы называть такую компоновку NVL144. Именно оно станет нормой для схожих представителей семейства Rubin. Стоечная система Vera Rubin NVL144 дебютирует во второй половине следующего года, она будет обеспечивать в 3,3 раза более высокое быстродействие по сравнению с GB300 NVL72. Каждый GPU будет оснащаться 288 Гбайт памяти типа HBM4. При этом пропускная способность памяти по сравнению с B300 вырастет с 8 до 13 Тбайт/с. Интерфейсы NVLink для обмена данными внутри системы также увеличат свою пропускную способность, примерно в два раза. 
Источник изображения: Nvidia Во второй половине 2027 года выйдут ускорители Rubin Ultra и стоечные решения NVL576 на их основе. Быстродействие в вычислениях FP4 вырастет в четыре раза по сравнению с Rubin NVL144 и в четырнадцать раз относительно GB300 NVL72 — до 15 Эфлопс. Чипы Rubin Ultra будут объединять в одной упаковке четыре кристалла. Объём оперативной памяти при переходе от Rubin NVL144 к Rubin Ultra NVL576 вырастет с 75 до 365 Тбайт. Ускорители Rubin Ultra перейдут на использование памяти типа HBM4E, но на каждый чип будет приходиться не более 8 Тбайт/с пропускной способности, зато объём памяти вырастет до 1 Тбайт. Интерфейс NVLink7 в поколении Rubin Ultra будет ускорен в шесть раз до 1,5 Пбайт/с, интерконнект CX9 ускорится в четыре раза до 115,2 Тбайт/с. Память HBM4E от Micron получит кастомизируемый базовый кристалл
23.12.2024 [13:43],
Алексей Разин
Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл. 
Источник изображения: Micron Technology Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе. Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron. Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
