Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Intel всё же не вернётся к выпуску микросхем памяти
31.08.2026 [07:53],
Алексей Разин
В уходящем месяце генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) довольно двусмысленно обратился к теме инвестиций в технологии, связанные с производством и интеграцией памяти, попутно напомнив, что нанял на работу бывшего главу SK hynix. Финансовому директору Intel Дэвиду Зинснеру (David Zinsner) пришлось пояснять, что у компании нет планов по возвращению к самостоятельному изготовлению микросхем памяти. 
Источник изображения: Intel Напомним, что с 1968 года Intel примерно до середины восьмидесятых годов производила микросхемы DRAM, а уже в этом веке пыталась предложить собственную версию NAND, но после продала профильный бизнес южнокорейской компании SK hynix. На недавней технологической конференции Deutsche Bank Зинснер прокомментировал слухи о возвращении Intel на рынок памяти следующим образом: «Я бы предпочёл избегать рынка памяти. Поэтому я надеялся, что вы не будете говорить о том, что мы возвращаемся на рынок DRAM». Далее он пояснил, что генеральный директор Лип-Бу Тан в своих недавних комментариях имел в виду углубление сотрудничества с партнёрами и клиентами в сфере устранения «узких мест», которые мешают масштабированию быстродействия памяти. «Думаю, что он видит нас в роли ключевого игрока, занимающегося этой работой, которая включает взаимодействие с тремя основными производителями памяти, и у него налажены хорошие отношения с ними…, и мы регулярно обсуждаем вещи, которые могли бы делать вместе. Кроме того, есть способы разработать продукт, его архитектуру, наши продукты, которые лучше себя проявят при взаимодействии с памятью», — попытался пояснить позицию главы компании Intel её финансовый директор. Переход на технологию упаковки EMIB-T, помимо прочего, тоже будет служить достижению этой цели, поскольку повысит эффективность интеграции компонентов. ИИ-бум добрался до NAND — Kioxia и Sandisk потратят $31 млрд на расширение производства
27.08.2026 [13:13],
Алексей Разин
Производители твердотельной памяти выгоду ИИ-бума почувствовали позднее своих коллег из сегмента DRAM, но упускать её также не собираются. Kioxia и Sandisk намерены потратить $31,4 млрд на строительство новых линий по производству NAND на территории Японии, из этой суммы примерно треть придётся на комплекс в Китаками. 
Источник изображения: Kioxia Ещё в июне этого года президент Kioxia Хироо Ота (Hiroo Ota) на встрече с инвесторами признался, что компания размышляет о строительстве нового предприятия, которое должно быть введено в строй к 2029 году. Производитель памяти даже успел обратиться с соответствующими заказами к поставщикам оборудования, которое может понадобиться на новых производственных линиях. Новый завод должен будет стать третьим корпусом на территории комплекса Kioxia в Китаками, префектура Иватэ. На новом предприятии компания собирается наладить выпуск востребованной в серверной инфраструктуре памяти типа NAND. В Японии Kioxia выпускает твердотельную память при участии Sandisk, с которой имеет совместное предприятие. Обе компании в ближайшие шесть лет направят на расширение производства памяти в Японии в общей сложности $31,4 млрд. Партнёры рассчитывают на поддержку в реализации новых проектов со стороны японского правительства, для чего на этой неделе встретились с японским премьер-министром Санаэ Такаити (Sanae Takaichi). Министерство экономики, торговли и промышленности Японии готово выделить соответствующие субсидии, покрывая до трети расходов Kioxia на реализацию проекта в Китаками. В текущем фискальном году, который завершится в марте следующего календарного, Kioxia собирается увеличить свои капитальные затраты на 60 % до $2,8 млрд, и в последующие три года удерживать их на чуть более высоком уровне. В прошлом квартале Kioxia занимала четвёртое место в мире среди поставщиков NAND по величине выручки, уступив американской Micron Technology. Финансовые показатели японского производителя в условиях ИИ-бума растут ударными темпами. Выручка во втором квартале последовательно увеличилась на 80 % до $10,72 млрд, но её доля на мировом рынке сократилась до 13,6 %. Производственный комплекс Kioxia в префектуре Миэ сосредоточится на выпуске твердотельной памяти для потребительских устройств, включая смартфоны, но площадка в префектуре Иватэ будет использоваться для удовлетворения потребностей серверного сегмента. Китайская YMTC заявила, что к концу 2027 года станет крупнейшим производителем NAND в мире
26.08.2026 [12:26],
Алексей Разин
По итогам второго квартала текущего года, как отмечали ранее представители Counterpoint Research, китайской компании YMTC удалось войти в тройку крупнейших производителей флеш-памяти и занять 14 % мирового рынка. Теперь готовящаяся к IPO компания заявила потенциальным инвесторам, что намерена к концу 2027 года выйти на первое место. 
Источник изображения: YMTC Об этом сообщает Financial Times со ссылкой на источники, знакомые с содержанием переговоров между YMTC и потенциальными инвесторами. Как уже отмечалось недавно, в ходе IPO компания рассчитывает привлечь почти $5 млрд. Большую часть этих средств планируется направить на расширение производства NAND, а примерно треть — на исследования и разработки, необходимые для своевременного вывода на рынок новых поколений 3D NAND. В наиболее оптимистичном сценарии YMTC рассчитывает получить при размещении оценку около $150 млрд, что сделает её второй по величине компанией на китайском фондовом рынке. Однако источники отмечают, что регуляторы могут ограничить цену размещения акций. В таком случае итоговая оценка YMTC может оказаться до пяти раз ниже той, на которую рассчитывает сама компания. Ориентиром для YMTC может служить пример CXMT, специализирующейся на выпуске DRAM. В прошлом месяце она дебютировала на бирже с оценкой $580 млрд и стала самой дорогой публичной компанией Китая. В ходе IPO CXMT привлекла $9 млрд, что стало крупнейшим размещением на азиатских фондовых рынках в нынешнем году. Бум ИИ тем временем способствует стремительному росту рынка памяти. По данным TrendForce, если в прошлом году объём мирового рынка NAND составлял $71 млрд, то в нынешнем году он превысит $300 млрд, а к концу десятилетия приблизится к $490 млрд. Инвесторов беспокоят планы китайских производителей по быстрому наращиванию мощностей, однако большинство из них полагает, что даже столь активное расширение производства не позволит полностью удовлетворить спрос. Поэтому перенасыщение рынка в ближайшие годы они считают маловероятным. Выручка от реализации микросхем памяти превысит $1 трлн в следующем году, по версии Gartner
26.08.2026 [08:02],
Алексей Разин
Поскольку крупные производители памяти всё чаще признают, что в 2027 году дефицит этой продукции не будет устранён, условия для дальнейшего роста цен сохраняются. Такая обстановка позволяет аналитикам Gartner предположить, что совокупная выручка от реализации микросхем памяти по итогам следующего года превысит $1 трлн. Рынок полупроводниковых компонентов в целом при этом приблизится в денежном выражении к отметке $2 трлн. 
Источник изображения: Micron Technology Если быть точнее, то прогноз Gartner подразумевает увеличение выручки полупроводникового рынка в целом с $809 млрд до $1,55 трлн в текущем году, на приличные 92 %. В следующем году темпы роста этой выручки замедлятся, она увеличится только до $1,94 трлн. При этом доля сегмента ЦОД в совокупной выручке полупроводникового рынка вырастет с текущих 35,6 % до более чем 53 % к концу десятилетия, как считают эксперты. Это позволит выигрывать от ИИ-бума и тем сегментам рынка, которые не были в фаворитах на первых порах. 
Источник изображения: Gartner Например, без учёта сегмента памяти выручка полупроводникового рынка в этом году увеличится с $589 до $718 млрд, на уверенные 21,9 %, а по итогам следующего года вырастет до $864 млрд. Конечно, с динамикой выручки от реализации микросхем памяти её всё равно не сравниться. В сегменте DRAM выручка в этом году вырастет на 246,6 %, а в сегменте NAND — на все 371,9 %. В общей сложности, выручка от реализации памяти в этом году вырастет почти в четыре раза, с $220 до $837,3 млрд. В следующем году динамика заметно замедлится, но одновременно выручкой от реализации микросхем памяти будет преодолён важный рубеж в $1 трлн. Рост цен на память в следующем году отчасти должен замедлиться после ввода в строй дополнительных производственных мощностей или оптимизации использования существующих. Кризис памяти ударит по его инициаторам: память съест две трети капзатрат на ИИ-инфраструктуру
25.08.2026 [19:14],
Павел Котов
Облачные провайдеры по всему миру ускоряют инвестиции в инфраструктуру искусственного интеллекта. По итогам 2026 года общие капитальные затраты крупнейших операторов вырастут на 98 %, а в 2027 году — ещё на 50 %, прогнозирует TrendForce. 
Источник изображения: nvidia.com Этот стремительный рост будет частично обусловлен резким повышением контрактных цен на память и высоким спросом на неё. В 2026 году доля DRAM и NAND в капзатратах облачных провайдеров составит 47 %, а в 2027 году вырастет до 68 %. Резкий рост контрактных цен на память со второй половины 2025 года значительно увеличил долю этой статьи в расходах операторов. Цены на серверную DRAM во второй половине 2025 года выросли в совокупности на 64 %, а в течение 2026 года могут подняться ещё примерно на 270 %. Цены на корпоративные SSD во второй половине минувшего года увеличились примерно на 35 %, а в текущем году могут вырасти ещё на 235 %. 
Источник изображения: trendforce.com Во II квартале 2026 года производители чипов памяти стали заключать с клиентами долгосрочные соглашения, некоторые из которых предусматривают потолки цен, способные сдержать дальнейшее подорожание. Тем не менее в 2027 году контрактные цены на HBM могут вырасти ещё на 70–140 %. В 2026 году на долю HBM и серверной RDIMM в совокупности придётся 51 % поставок DRAM в пересчёте на биты. В 2027 году миграция на новые техпроцессы и ввод дополнительных производственных мощностей помогут увеличить поставки серверной DRAM и HBM ещё на 27 %. Рост контрактных цен на память, особенно на дорогую HBM, в сочетании с увеличением объёмов поставок приведёт к тому, что доля памяти в капзатратах облачных провайдеров в 2027 году достигнет 68 %. Это будет иметь два основных последствия для экосистемы ИИ. Во-первых, поставщики серверного оборудования и ИИ-ускорителей получат дополнительные основания для повышения цен на свою продукцию. В результате облачным провайдерам придётся ещё сильнее увеличивать капитальные расходы, если они захотят сохранить запланированные объёмы закупок ИИ-ускорителей. Во-вторых, операторы могут начать активнее оптимизировать архитектуру ИИ-систем, сокращая объём памяти в каждой из них. В частности, могут измениться конфигурации RDIMM и объёмы HBM, интегрированной в будущие ИИ-ускорители. Кроме того, может вырасти интерес к специализированным ИИ-ASIC, в которых архитектура конкретной модели реализована непосредственно на аппаратном уровне. За прошлый квартал общая выручка пяти крупнейших производителей памяти NAND взлетела на 77 %
21.08.2026 [14:28],
Алексей Разин
Первоначально бум систем искусственного интеллекта разгонял главным образом цены на DRAM, но постепенно память типа NAND присоединилась к непрерывному подорожанию. По итогам прошлого квартала пятёрка крупнейших поставщиков NAND увеличила свою выручку последовательно сразу на 77 % до $68,87 млрд, что говорит о высокой динамике цен в сегменте. 
Источник изображения: Micron Technology Представители TrendForce, которые привели эту статистику, не скрывают, что подобный рост выручки был обусловлен главным образом сохранением дефицита NAND и ростом средней цены реализации. В третьем квартале, по словам авторов отчёта TrendForce, спрос на флеш-память со стороны сегментов ПК и смартфонов будет подавлен из-за высоких цен, а вот в серверном сегменте он обладает куда меньшей эластичностью, а потому рост цен может продолжиться. Тем более, что производители отдают приоритет выпуску DRAM и HBM, финансируя направление NAND по остаточному принципу. Это ограничивает предложение твердотельной памяти на рынке и способствует росту цен. 
Источник изображения: TrendForce В прошлом квартале выручка Samsung Electronics, лидирующей в сегменте NAND с долей 29,3 %, последовательно выросла на 70,7 % до $23 млрд. Под натиском конкурентов она немного сдала позиции, поскольку в первом квартале занимала 31,6 % рынка. На втором месте оказался альянс SK hynix и Solidigm, который увеличил свою выручку от реализации на 89,5 % до $14,3 млрд, а долю рынка поднял с 17,6 до 18,2 %. Лидером по темпам роста выручки оказалась компания Micron Technology, которая почти удвоила её, заодно укрепив позиции последовательно с 13,9 до 15,1 %. Kioxia хоть и показала приличный рост выручки на 79,9 % до $10,7 млрд, сократила свою долю с 13,9 до 13,6 %. Кроме того, эта компания скатилась на четвёртое место и уступила третье американской Micron. Падение Sandisk, которая увеличила выручку только на 50,7 % до $8,97 млрд, в показателях рыночной доли было выражено ещё сильнее: с 13,9 до 11,4 %. В общей сложности пятёрка крупнейших производителей NAND во втором квартале контролировала 87,6 % мирового рынка в денежном выражении. В первом квартале текущего года их доля достигала 90,9 %. К слову, представители Counterpoint Research рисуют несколько иную картину расстановки сил на рынке NAND во втором квартале, согласно которой на третьем месте оказалась китайская компания YMTC. Авторы этого отчёта опираются на физические объёмы поставок памяти, а не выручку от её реализации. Закономерно, что поставляющая более дешёвую NAND компания YMTC может не попадать в статистику TrendForce — тем более, что она пока не вышла на биржу, и это не позволяет получить представление о точной сумме её доходов. Глава SK Group заявил, что из-за памяти всё вокруг будет дорожать
15.08.2026 [08:03],
Алексей Разин
Председатель совета директоров SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) последние недели потратил на участие в многочисленных интервью, делясь своими прогнозами на развитие полупроводниковой отрасли и сегмента инфраструктуры ИИ. Выступая на канале CNBC, он призвал готовиться к ухудшению дефицита памяти в следующем году и росту цен на все виды устройств, оснащаемых ею. 
Источник изображения: SK hynix Дисбаланс спроса и предложения на рынке памяти глава SK Group описывает буквально как «ситуацию, напоминающую военное время». По его словам, в следующем году дефицит памяти достигнет своего пика. Уже сейчас клиенты дочерней компании SK hynix требуют от неё поставок памяти в количествах, вдвое превышающих уровень нынешнего года. При этом на расширение производственных мощностей требуется от четырёх до пяти лет. Производители памяти пока просто не готовы к пропорциональному расширению мощностей, чтобы удовлетворить спрос в полной мере. Практически все крупные заказчики требуют от SK hynix удвоить объёмы поставок памяти. Компания старается наращивать объёмы производства изо всех сил, но всё равно отстаёт от потребностей рынка. Спрос на память будет расти в различных сегментах рынка, поскольку бум ИИ поднимает требования к объёму памяти на стороне конечных устройств. Например, помимо смартфонов, больше памяти потребуется и ПК, и носимым устройствам, поэтому спрос на память не будет сконцентрирован в одном сегменте. Множество ИИ-агентов будут работать на самых разных аппаратных платформах, и всем им потребуется больше памяти. К сожалению, рост цен на память провоцирует общую инфляцию, и от этого страдают все люди, как признал Чхэ Тхэ Вон. Выбор мест для строительства новых предприятий, по его словам, определяется не только наличием источников энергии, свободных площадей и водных ресурсов. При производстве чипов от 600 до 700 компаний участвуют в поставке материалов и химикатов. Если подобную инфраструктуру удастся развить на новом месте, то построить предприятие по выпуску памяти на нём можно без особых сомнений. Подстраховать себя от возможного спада спроса на память SK Group старается не только через заключение долгосрочных соглашений с клиентами, которые будут обновляться на ежегодной основе. Компания готова предлагать аренду микросхем памяти и создавать совместные предприятия по выпуску памяти. В составе SK Group есть поставщики энергетических решений (SK Innovation) и провайдеры связи (SK Telecom), поэтому холдинг может самостоятельно участвовать в строительстве ЦОД вместе со своими партнёрами. Инвесторам глава SK Group рекомендовал не продавать имеющиеся у них акции компании, выразив уверенность в долгосрочной тенденции к росту котировок и сохранении спроса на память. Китайская YMTC обогнала Micron, Kioxia и Sandisk и ворвалась в тройку крупнейших поставщиков NAND
12.08.2026 [16:15],
Николай Хижняк
Китайская компания YMTC продемонстрировала значительный рост в мировых поставках флеш-памяти NAND. Это подтверждают данные анализа рынка памяти NAND за второй квартал этого года аналитической компании Counterpoint Research, на которые ссылается портал TechPowerUp. 
Источник изображения: TechPowerUp Во втором квартале YMTC стала третьим по величине поставщиком флеш-памяти NAND, обогнав некоторых более именитых игроков отрасли. Лидером на мировом рынке флеш-памяти NAND является Samsung, занимающая 25 % рынка. На втором месте находится SK hynix вместе со своей дочерней компанией Solidigm, на долю которых совокупно приходится 22 % рынка. YMTC заняла третье место с долей 14 % — её поставки в расчёте на бит выросли на 22 % в годовом выражении и на 5 % по сравнению с предыдущим кварталом, опередив показатели компаний Micron, Kioxia и Sandisk. 
Источник изображения: Counterpoint Research Рост YMTC до третьего по величине игрока в индустрии флеш-памяти NAND во втором квартале объясняется значительным объёмом поставок как на родном китайском рынке, так и за рубежом. Архитектура хранения данных YMTC Xtacking 4.0, на базе которой компания выпускает 267-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND, уже используется в массовом производстве, а переход на более чем 300-слойную технологию памяти NAND ожидается в следующем году. В сочетании с высоким объёмом производства это позволило YMTC с лёгкостью превзойти известные бренды. Однако, как отмечается, доля рынка не соответствует доле выручки. Несмотря на третье место по доле рынка, YMTC заняла лишь пятое место по доле выручки среди поставщиков. Это связано с тем, что китайский производитель в настоящее время специализируется на потребительской электронике, в то время как Micron, Kioxia и другие конкуренты концентрируются на более прибыльных сегментах корпоративных серверов и искусственного интеллекта. Как отмечает портал TechPowerUp, на данный момент YMTC поставляет не так много твердотельных накопителей за пределы Китая, но у неё есть соглашения с крупными производителями оборудования, такими как Lenovo, которая использует её SSD в своих ноутбуках. Поскольку китайский производитель всё больше фокусируется на потребительских устройствах, можно ожидать появления большего количества потребительских ПК с памятью YMTC NAND. Даже Apple рассматривает возможность добавления YMTC в список своих поставщиков. SK hynix намерена увеличить на 50 % производство флеш-памяти NAND в Китае в 2027 году
12.08.2026 [01:03],
Николай Хижняк
SK hynix продолжает инвестировать капитал, человеческие ресурсы и стратегическое планирование в свой завод по производству флеш-памяти NAND в Китае, пишет TechPowerUp со ссылкой на несколько южнокорейских источников. Согласно последним сообщениям, компания планирует увеличить производство на своём заводе в Даляне на 50 % в 2027 году, чтобы удовлетворить растущий спрос на флеш-память NAND. 
Источник изображения: SK hynix Завод принадлежит и управляется дочерней компанией Solidigm, возобновляющей экспансию в материковом Китае после четырёхлетнего перерыва в реализации проекта. В 2021 году, когда SK hynix приобрела подразделение Intel по производству памяти 3D NAND и твердотельных накопителей, она основала Solidigm, чтобы сосредоточиться на этом направлении. Однако экспортный контроль и спад на рынке флеш-памяти NAND остановили все стратегические планы Solidigm и SK hynix по расширению производства в Китае. В настоящее время Solidigm производит около 100 000 пластин с флеш-памятью NAND в месяц, поэтому увеличение объёма производства на 50 % в 2027 году позволит нарастить выпуск примерно до 150 000 пластин в месяц. Solidigm также начнёт производство флеш-памяти 3D QLC NAND с плавающим затвором, которая будет содержать более 200 активных слоёв памяти на кристалле. Это нововведение позволит предприятиям, которые в настоящее время являются основными потребителями этих решений, создавать твердотельные накопители очень большой ёмкости. Поскольку ожидается, что в 2027 году мировые объёмы производства флеш-памяти NAND наконец будут соответствовать спросу, это нововведение станет долгожданным дополнением, хотя и составит лишь малую долю в общемировом спросе на флеш-память NAND. SK hynix также рассматривает возможность первичного публичного размещения акций Solidigm на рынках капитала США, в частности на бирже NASDAQ. Это может означать, что компания наращивает производство и сможет использовать доходы от IPO Solidigm для финансирования дальнейшего расширения в будущем. SK hynix потратит $38 млрд на расширение производства памяти в Южной Корее
07.08.2026 [12:19],
Алексей Разин
Компания SK hynix на этой неделе заявила о намерениях потратить $38 млрд на два проекта по расширению производства микросхем памяти на территории Южной Кореи: предприятие в Йонъине сосредоточится на выпуске DRAM, а фабрика в Чхонджу наладит выпуск NAND. Указанная сумма распределится между ними в соотношении «2:1». 
Источник изображения: SK hynix По словам представителей SK hynix, эти действия направлены на удовлетворение растущего спроса на память в сегменте ИИ. Сейчас производственные квоты SK hynix на выпуск памяти распределены до конца 2027 года, компания всё чаще прибегает к оформлению долгосрочных контрактов с клиентами, в рамках которых те осуществляют крупные авансовые платежи в счёт будущих поставок чипов памяти. Проекты SK hynix по строительству новых предприятий в Южной Корее были одобрены советом директоров компании. В Йонъине на указанные средства будет возведена вторая очередь из четырёх предприятий по выпуску DRAM. Строительство начнётся в июле следующего года, а первые линии по выпуску DRAM и HBM начнут выдавать серийную продукцию на этой площадке в июне 2029 года. В Йонъине уже строится первое предприятие нового комплекса, которое начнёт свою работу в феврале 2027 года. В Чхонджу будет построено предприятие M17, которое сосредоточится на выпуске микросхем NAND, которые будут использоваться как в персональных ПК, так и в серверном сегменте. Строительство начнётся феврале следующего года, а первая производственная линия начнёт свою работу в декабре 2028 года. Правительство Южной Кореи осознаёт важность производства памяти для национальной экономики, а потому вовлекло SK hynix и конкурирующую Samsung Electronics в долгосрочную программу развития полупроводниковой отрасли. За пять лет на национальном уровне планируется удвоить производственные мощности по выпуску памяти. Южная Корея намеревается сохранить за собой лидирующие позиции в производстве памяти. Под нажимом инвесторов SK hynix также заявила на этой неделе, что собирается обнародовать свой план по возврату капитала инвесторам до конца текущего квартала, и акции компании после этого отыграли часть падения, которое достигало 4,9 %. Акционеры производителей памяти рассчитывают, что получать часть сверхприбылей, которые компании демонстрируют в условиях бума ИИ и резкого роста цен на память. Квартальная выручка Sandisk выросла почти в пять раз до $8,97 млрд
06.08.2026 [07:18],
Алексей Разин
Динамика цен на NAND благоприятно сказывается на деятельности производителей как памяти этого типа, так и готовых накопителей. Sandisk сообщила, что её совокупная выручка в прошлом квартале выросла на 372 % в годовом сравнении до $8,97 млрд, а последовательно она увеличилась на 51 %. При этом серверный сегмент увеличил свою долю в структурах поставок с 12 до 38 %, а сама профильная выручка удвоилась до $2,98 млрд. 
Источник изображений: Sandisk Если рассматривать весь 2026 фискальный год, который в календаре Sandisk уже завершился, то выручка компании на серверном направлении выросла на 437 % до $5,2 млрд. Компания сейчас сосредоточена на поставках твердотельных накопителей корпоративного класса на базе памяти типа TLC. Это самый быстрорастущий источник выручки Sandisk, что легко объяснить спросом на компоненты для инфраструктуры искусственного интеллекта. В следующем году доля серверной выручки на рынке SSD, по прогнозам Sandisk, значительно превысит 50 %. В прошлом квартале на этот сегмент пришлась треть всей выручки компании.  Решения для периферийных вычислений, которые включают мобильные устройства, ПК и робототехнику, в прошлом квартале увеличили выручку Sandisk на 392 % до $5,4 млрд, последовательно она выросла на 48 %. По итогам всего прошедшего фискального года профильная выручка почти утроилась до $12,2 млрд. При этом руководство компании отмечает, что сейчас рынок ПК и смартфонов переживает коррекцию спроса на фоне резкого роста цен на память. В следующем году оба сегмента должны вернуться к росту, по мнению представителей Sandisk. На сегмент потребительской электроники пришлось только $556 млн выручки в прошлом квартале, что на 32 % ниже результатов предыдущего квартала, а годовое снижение достигло 5 %. В любом случае, по итогам минувшего фискального года сегмент продемонстрировал рост выручки на 29 % до $2,94 млрд. По итогам текущего года, как считают в Sandisk, общая ёмкость рынка NAND превысит $300 млрд, утроившись по сравнению с 2025 календарным годом, а в следующем году ёмкость рынка вырастет до $500 млрд. В то же время, компания не ожидает, что сможет в 2027 календарном году удовлетворять спрос на свою продукцию в полной мере. Примечательно, что норма прибыли Sandisk по итогам четвёртого квартала 2026 фискального года выросла в годовом сравнении с 26,4 до 84,6 %. Это говорит о том, что цены на NAND росли быстрее, чем увеличивались объёмы поставок продукции. Операционные расходы при этом выросли всего на 20 % до $484 млн. В текущем квартале Sandisk рассчитывает выручить от $10,3 до $10,8 млрд, демонстрируя сохранение тенденции к росту выручки. Samsung анонсировала память zHBM и zNAND-O, показала LPDDR5X-PIM и V10 BV-NAND
05.08.2026 [08:31],
Алексей Разин
Производители памяти уже смотрят в более далёкое будущее, в котором у прирастающей числовыми индексами HBM появятся более прогрессивные преемники. Компания Samsung Electronics собирается продвигать память типа zHBM, которая обещает обладать в восемь раз более высоким быстродействием по сравнению с HBM5. При этом плотность хранения данных окажется более чем в 10 раз выше. 
Источник изображения: Samsung Electronics Энергетическая эффективность zHBM будет в три раза превосходить HBM5, а тепловое сопротивление сократится более чем в два раза. Секрет высокого быстродействия и высокой энергетической эффективности zHBM кроется в технологии объединения нескольких кремниевых пластин, которая позволяет реализовать десятки тысяч каналов передачи информации в одном стеке. Ещё одно преимущество zHBM заключается в способности монтажа стека памяти непосредственно на графический процессор (GPU). В современной компоновке память HBM разных поколений располагается на одной подложке с GPU в горизонтальной плоскости. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию кастомной логики в стек памяти по запросу конкретного клиента. Непосредственно HBM5, по оценкам Samsung, должна удвоить пропускную способность относительно HBM4E, но при этом снизить тепловое сопротивление на 20 % благодаря использованию прогрессивной технологии терморегулирования. Для сегмента ИИ-вычислений предназначена и память типа zNAND-O, которая базируется на V-NAND. Она устроена таким образом, чтобы минимизировать задержки при передаче данных между соседними компонентами вычислительных систем. Впервые Samsung представила концепцию Z-NAND в 2025 году, пообещав увеличение производительности в 15 раз и сокращение энергопотребления на 80 %. По предварительным оценкам, Z-NAND будет до четырёх раз дороже обычной TLC NAND. В одном стеке будут объединяться до четырёх или восьми слоёв памяти. Попутно на мероприятии FMS 2026 в Калифорнии Samsung Electronics рассказала о твердотельной памяти V10 BV-NAND с количеством слоёв более 400 штук, которая использует новую технологию формирования межслойных соединений. Впервые о технологии V-NAND компания поведала 13 лет назад. По сравнению с поколением V9, память V10 BV-NAND обеспечивает увеличение плотности хранения данных на 58 %. Скорости чтения, записи и передачи информации по интерфейсу также увеличены по сравнению с памятью предыдущего поколения. Отмечается, что памятью типа V-NAND активно интересуется Nvidia, а в поколении V11 подобная память получит 500 слоёв. Samsung напомнила, что начала поставлять образцы HBM4E своим клиентам ещё в мае этого года, а также первой начала массово выпускать HBM4 с использованием 4-нм базового кристалла и DRAM 10-нм класса (1c). Память типа HBM5 была показана на FMS 2026 в виде модели. Заодно была продемонстрирована память типа LPDDR5X-PIM, которая позволяет часть вычислительных операций выполнять без передачи информации в центральный процессор. Помимо повышения скорости обработки данных, такое решение позволяет снизить энергопотребление. Kioxia начала тестовые поставки 230-слойной флеш-памяти BiCS 9-го поколения со скоростью до 4,8 Гбит/с
30.07.2026 [21:27],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной с использованием технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D девятого поколения. 
Источник изображения: Kioxia Данные чипы предназначены для использования в составе твердотельных накопителей для ПК и ноутбуков, а также смартфонов с поддержкой искусственного интеллекта, оснащённых накопителями малого и среднего объёма, где требуется высокая производительность. При производстве чипов памяти Kioxia использует технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS), одновременно развивая две отдельные линейки продуктов: память NAND девятого поколения, обеспечивающую высокую производительность при относительно низких инвестиционных затратах, и NAND десятого поколения, использующую передовые технологии многослойной компоновки для достижения высокой ёмкости и очень высокой производительности. Чипы памяти BiCS FLASH 3D TLC девятого поколения обладают 230 слоями и сочетают технологии BiCS FLASH восьмого поколения с передовой технологией CMOS, что позволяет им обеспечивать скорость интерфейса NAND на уровне 4,8 Гбит/с. Это на 33 % выше, чем у памяти NAND восьмого поколения, и соответствует производительности чипов памяти NAND десятого поколения. ИИ продолжит толкать вверх спрос на память в следующем году, но рынки DRAM и NAND будут вести себя по-разному
30.07.2026 [18:24],
Алексей Разин
Эксперты TrendForce разделяют мнение многих участников рынка, согласно которому спрос на микросхемы памяти в следующем году продолжит расти благодаря буму ИИ. Тем не менее, сегменты DRAM и NAND будут сильно различаться в своей динамике. В частности, примерно через год предложение твердотельной памяти значительно улучшится и появятся предпосылки для снижения цен. 
Источник изображения: SK hynix С другой стороны, в сегменте DRAM в следующем году будет сохраняться дефицит и тенденция к росту цен, как утверждают специалисты TrendForce. Это не значит, как поясняет источник, что производители DRAM не будут прилагать усилий к увеличению объёмов выпуска продукции, но в ближайшее время они сосредоточатся на оптимизации использования существующих мощностей, в том числе — благодаря переходу на более прогрессивные технологии. В случае же со строительством новых фабрик графики неизбежно растянутся до второй половины следующего года, как минимум. Тем самым, условия для появления новых мощностей по выпуску DRAM не возникнут до 2028 года. Высокий спрос на память типа HBM, к тому же, не позволит поставкам вырасти пропорционально увеличению количества обрабатываемых кремниевых пластин. Как известно, на выпуск одного чипа HBM уходит гораздо больше кремниевых кристаллов, чем в случае с планарной памятью DRAM. Соответственно, насыщение рынка оперативной памятью в целом будет происходить медленнее, чем это могло бы произойти в эпоху до появления высокого спроса на HBM. При этом и цены на DRAM не смогут замедлить свой рост в следующем году в той же степени, как это произойдёт в сегменте NAND. По оценкам TrendForce, объёмы поставок серверных систем в следующем году вырастут более чем на 17 %, которые должны быть продемонстрированы по итогам текущего года. Удельный объём HBM в одном сервере вырастет, этому будет способствовать и появление новых типов памяти вроде SOCAMM. Это также будет поддерживать спрос на DRAM на высоком уровне. Высокие цены на память будут подавлять спрос на ПК и смартфоны, поэтому в этих сегментах рынка в следующем году сохранится негативная динамика продаж. Если цены на память продолжат расти сопоставимыми с этим годом темпами, то доля расходов на её покупку в структуре капитальных затрат облачных гигантов вырастет, и это повлияет на спрос, а затем и создаст условия для некоторого снижения цен. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте NAND, как поясняет TrendForce, в текущем году объёмы выпуска увеличивались главным образом благодаря миграции на более прогрессивные технологии, а производственные площади не расширялись. Выпуск продукции для серверного сегмента оставался приоритетным видом деятельности. В следующем году предложение NAND начнёт расширяться активнее благодаря не только к переходу к выпуску памяти с большим количеством слоёв, но и благодаря появлению новых производственных мощностей. В серверном сегменте востребована память типа QLC, она же составит основную часть дополнительного объёма предложения в 2027 году. Сегмент потребительской электроники практически не имеет шансов на положительную динамику, поскольку высокие цены будут подавлять спрос, а ориентация на серверные SSD со стороны производителей будет способствовать сохранению дефицита. В отличие от сегмента DRAM, рынок NAND в следующем году имеет шансы перейти к состоянию, когда дефицит не будет столь сильно выраженным и даже может исчезнуть. Способствовать появлению дополнительного спроса может всплеск популярности агентских приложений в сфере ИИ, поскольку скоростные SSD в этом случае окажутся весьма востребованными. В серверный сегмент в следующем году будет направляться до 43,7 5 всей DRAM против 42,2 % в текущем, как прогнозирует TrendForce. Мобильный сегмент сократит свою долю с 33,6 до 33,4 %. Рынок ПК сможет претендовать от силы на 5,6 % всей DRAM, хотя ещё в этом году данный показатель достигал 7,4 %. Зато сегмент графических решений увеличит свою долю с 11,9 до 13,6 %. Потребительская электроника «сдуется» с 4,9 до 3,7 %. Доминирование серверного сегмента на рынке NAND будет выражено ещё сильнее, поскольку в следующем году он будет потреблять до 51,1 % всей флеш-памяти против 44,2 % в текущем. Мобильный сегмент ужмётся с 24,8 до 23,2 %, рынок ПК сможет претендовать на 11,5 % против нынешних 14,3 %, потребительская электроника сможет рассчитывать на сопоставимые доли. Игровым же консолям достанется от силы 1,6 % всей NAND в 2026 году в побитовом выражении. Для сравнения, в текущем году этот показатель достигнет 2,3 %, как считают в TrendForce. Даже утроившись до $55 млрд, квартальная выручка SK hynix оказалась ниже прогноза
29.07.2026 [04:54],
Алексей Разин
Если в сфере поставок логических компонентов главным выгодоприобретателем в условиях бума ИИ можно смело считать компанию Nvidia, то в сегменте микросхем памяти на этой тенденции последних лет больше всего заработала SK hynix. Это формирует завышенные ожидания аналитиков, которые по итогам второго квартала не оправдались даже с учётом утроения выручки. 
Источник изображения: SK hynix Как уточняет CNBC, по итогам второго квартала SK hynix выручила $54,55 млрд, что на 257 % больше итога аналогичного периода прошлого года, а операционная прибыль взлетела на 557 % и достигла $41,6 млрд. Последовательно выручка увеличилась на 51 %, а операционная прибыль выросла на 61 %. В любом случае, оба показателя оказались заметно ниже консенсус-прогноза аналитиков LSEG SmartEstimates. Более того, операционная прибыль во втором квартале достигла рекордной величины. Важен и другой рубеж — операционная прибыль SK hynix за первое полугодие впервые в истории компании превысила 100 трлн вон, что соответствует сумме около $69 млрд. К массовым поставкам HBM4 компания приступила во втором квартале, в текущем полугодии объёмы её выпуска будут наращиваться, в прошлом полугодии также были отгружены первые образцы HBM4E. На предприятиях SK hynix в Южной Корее 321-слойная NAND к концу года будет формировать около 50 % объёмов производства. SK hynix уже заключила около 10 долгосрочных контрактов на поставку памяти со своими клиентами, переговоры с дополнительными покупателями на эту тему продолжаются. По мнению некоторых аналитиков, конкурирующая Samsung Electronics цены на свою продукцию повышает более агрессивно, поэтому операционная прибыль SK hynix и не оправдала ожиданий рынка в минувшем квартале. К концу периода у SK hynix накопилось более $60 млрд свободных средств. Чистая прибыль компании во втором квартале выросла более чем в 13 раз до $64,5 млрд, но на две трети эта сумма определялась выгодой от инвестиций, поэтому напрямую об успешности бизнеса по производству памяти она не говорит. Скорее всего, SK hynix выручила крупную сумму от реализации своей доли в капитале конкурирующей Kioxia. По словам представителей SK hynix, в этом году компания потратит $27,5 млрд на строительство новых предприятий и расширение производства. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
