Сегодня 04 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Intel придумала интегрированные конденсаторы нового поколения — ключ к стабильному питанию ИИ-чипов будущего

В ходе рассказов о новых техпроцессах мы постоянно говорим о транзисторах как о ключевых элементах, которые определяют производительность и энергопотребление чипов. В то же время каждый элемент микросхемы по-своему важен и может считаться ключевым. Сегодня Intel похвалилась разработкой нового поколения конденсаторов — ключевых элементов для стабильной работы и питания чипов. Как и транзисторы, они тоже требуют масштабирования для новых техпроцессов.

 Конденсаторы Omni MIM в техпроцкссе Intel18A. Источник изображения: Intel Foundry

Конденсаторы Omni MIM в техпроцессе Intel 18A. Источник изображения: Intel Foundry

По словам разработчиков Intel Foundry — подразделения для контрактного производства чипов, интегрированные конденсаторы нового поколения могут считаться значительным прорывом в технологиях распределения питания в чипах эпохи искусственного интеллекта. Речь идёт о разработке нового поколения MIM-конденсаторов (металл-изолятор-металл), которые позволяют радикально улучшить стабильность питания в современных и будущих процессорах. Согласно публикации в блоге Intel Community, эти конденсаторы демонстрируют почти трёхкратное увеличение плотности ёмкости по сравнению с существующими решениями, не усложняя при этом производственный процесс.

По мере миниатюризации транзисторов и роста энергопотребления ИИ- и HPC-чипов проблема стабильной подачи питания становится всё острее. Резкие скачки нагрузки вызывают просадку напряжения, а в процессоре одновременно могут переключаться миллиарды транзисторов, и каждый из них «говорит»: «Дай!» Также в цепях возникает шум, и всё вместе ведёт к снижению эффективности. Традиционно эту задачу решают конденсаторы развязки, выступая как локальные «резервуары заряда»: они мгновенно отдают ток при пиковом спросе и поглощают избыток при снижении нагрузки.

Новые материалы MIM, представленные Intel, обеспечивают плотность ёмкости на уровне 60–98 фФ/мкм² (в зависимости от выбора компонентов), что в три или даже большее число раз превосходит текущие показатели, сохраняя при этом крайне низкий уровень утечек — на три порядка ниже требований в отрасли.

В работе, ранее представленной на конференции IEDM 2025, Intel выделила три перспективных материала для MIM-структур: ферроэлектрический оксид гафния-циркония (HZO), диоксид титана (TiO₂) и титанат стронция (STO). Эти материалы интегрируются в стандартные «траншейные» структуры на обратной стороне кристалла, что делает технологию совместимой с существующими процессами. Внешне это выглядит как цилиндр со стержнем внутри, между которыми размещён диэлектрик. Такая структура конденсатора фактически однослойная, что упрощает производство. В настоящий момент Intel использует технологию производства конденсаторов Omni MIM, которую иллюстрирует картинка выше.

Благодаря новым материалам Intel Foundry рассчитывает существенно повысить производительность на ватт чипов для дата-центров, мобильных устройств и ускорителей ИИ, где требования к мощности и плотности транзисторов растут экспоненциально. Каждый из трёх материалов представляет собой первое масштабное использование сегнетоэлектриков в качестве диэлектрических материалов. Такие материалы меняют значение ёмкости под воздействием внешнего поля, сохраняя стабильность заданных параметров.

Улучшенные диэлектрические свойства новых материалов позволяют конденсаторам оставаться стабильными при нагреве до 90 °C в течение 400 000 секунд, всё это время стабилизируя питание транзисторов и самого чипа. Прогнозирование обещает транзисторам с новыми конденсаторами 10 лет непрерывной работы без электрического пробоя даже с постоянным превышением рабочего напряжения, что придётся по душе оверклокерам.

Каждый из трёх материалов найдёт свою нишу: HZO представляет практичный вариант на ближайшую перспективу — с хорошей надёжностью и простой интеграцией. TiO₂ выступает как следующий шаг вперёд, предлагая более высокую ёмкость и выдающиеся возможности работы при высоком напряжении. STO же обеспечивает максимальную плотность ёмкости и предназначен для приложений, где приоритет отдаётся достижению наивысшей возможной ёмкости.

На новом этапе специалисты Intel разработают техпроцессы, которые помогут встроить изготовление конденсаторов MIM с новыми материалами в действующие техпроцессы. Чуть более подробно об этом можно прочесть в блоге Intel Foundry.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Sony ограничила продажи дисководов для PS5 Digital Edition и PS5 Pro — из-за подскочившего спроса 11 мин.
Из-за складного iPhone цены на складные смартфоны вырастут в среднем почти на 20 % 13 мин.
Производители памяти призвали власти США отказаться от регулирования рынка, чтобы не стало ещё хуже 26 мин.
Alibaba представила ИИ-агента для поиска сверхпроводников — он сразу открыл четыре новых 58 мин.
Ampera напечатала на 3D-принтере малый ториевый реактор для питания дата-центров 2 ч.
DriveNets представила коммутаторы 2600SL и 2601S с 64 портами на 1,6 Тбит/с 3 ч.
Учёные создали в лаборатории модель чёрной дыры и испарили её 3 ч.
Samsung нацелилась стать главным производителем ИИ-чипов — она привлекла Anthropic и Meta 3 ч.
Новые складные смартфоны Samsung будут дороже предшественников на €100–€280 5 ч.
Samsung в III квартале хочет повысить цены на DRAM на 20 % — LPDDR может подорожать сильнее 8 ч.