Sandisk намерена начать опытный выпуск передовой памяти HBF до конца года

Производители совершенствуют технологии выпуска не только оперативной, но и твердотельной памяти. Sandisk, которая является одним из ключевых разработчиков HBF, намерена до конца текущего года построить в Японии пилотную линию по производству памяти этого типа, а в промышленных масштабах начать выпуск уже в 2027 году.

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2026 год)

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Гид по выбору складного смартфона в 2026 году

Источник изображения: Sandisk

Как сообщает ETNews, компания уже приступила к поиску материалов, компонентов и оборудования, которое будет использовать при производстве HBF — нового типа NAND, который подразумевает вертикальную компоновку по примеру HBM. Экспериментальная линия в Японии может быть установлена в следующем полугодии, а первые образцы HBF с её помощью Sandisk рассчитывает получить до конца текущего года. Если всё пойдёт по плану, Sandisk может освоить массовый выпуск HBF примерно на полгода быстрее обещанного ранее.

При производстве HBF будет использоваться часть оборудования, подходящего для выпуска HBM, равно как и некоторые технологии. В этом смысле с поиском поставщиков материалов и оборудования для производства HBF проблем возникнуть не должно. Китайские производители памяти также готовятся начать выпуск HBF, поэтому конкуренция на рынке обещает быть острой. В сфере стандартизации HBF поддержку Sandisk оказывает конкурирующая SK hynix. Пик спроса на HBF, как ожидается, придётся на 2030 год. Интерес к производству HBF проявляет и Samsung Electronics, которая над разработкой такой памяти трудится с начала текущего десятилетия. Впрочем, в отличие от SK hynix, этот южнокорейский производитель пока не спешит делать громкие заявления касательно сроков появления HBF на рынке.

Принято считать, что HBF позволит размещать большие объёмы данных в непосредственной близости от GPU, ускоряя работу с ИИ-моделями в задачах инференса. Если по уровню быстродействия HBF уступает HBM, то по ёмкости она превосходит её до 16 раз. По сути, в 16-ярусном стеке HBF можно хранить до 512 Гбайт информации. Если окружить GPU восемью такими стеками, то объём памяти вырастет до 4 Тбайт. Спрос на подобные решения будет расти по мере того, как сфера искусственного интеллекта переходит от обучения больших языковых моделей к инференсу.