MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Статус технологического лидера в сфере контрактного производства чипов тайваньской TSMC приходится отстаивать регулярно, ибо Intel и Samsung пусть и с переменным успехом, но пытаются её догнать. Поскольку Intel может приступить к опытному производству компонентов по технологии 14A уже в первом квартале 2027 года, TSMC постарается свою A14 довести до аналогичной степени готовности к тому же периоду.
Источник изображения: TSMC
До сих пор считалось, что TSMC освоит серийное производство чипов по технологии A14 не ранее 2028 года, но экспериментальная фаза выпуска компонентов по новым технологиям всегда осваивается с большим опережением старта массового производства. Как отмечает Commercial Times, выпуск компонентов по технологии A14 в экспериментальном режиме TSMC в первом квартале следующего года развернёт на своём предприятии Fab 20 в Синьчжу. Ко второму кварталу 2027 года приступить к освоению технологии A14 будет готова и вторая площадка Fab 25 в Тайчжуне, которая сейчас только возводится. К третьему кварталу 2027 года Fab 25 сможет начать опытное производство чипов по технологии A14. Массовое производство чипов по этой технологии TSMC всё равно рассчитывает начать только в 2028 году.
В июле представители компании заявляли, что освоение A14 идёт лучше, чем ожидалось. На этапе выпуска первых прототипов уровень выхода годной продукции приблизился к 90 %. Ячейки памяти типа SRAM, которые обычно используются в качестве прототипов при освоении новых техпроцессов, демонстрировали аналогичный уровень брака. Предприятие Fab 20 на Тайване должно будет перейти от производства 2-нм чипов к более современным, использующим технологию A14. В структуре этого комплекса корпус P3 сосредоточится на выпуске профильной передовой продукции. Опытные образцы будут получены в первом квартале следующего года.
Между тем, массовое производство чипов по технологии A14 компания развернёт преимущественно на новом предприятии Fab 25, которое будет достроено к апрелю следующего года. Вслед за техпроцессом A14, здесь же к 2029 году будет освоен выпуск чипов по технологиям A12 и A13. Последняя будет по своим правилам дизайна совместима с A14, что упростит переход для разработчиков чипов, а в рамках A12 будет предложен подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины (Super Power Rail). Техпроцессы A14, A13 и A12 будут относиться к одной серии с достаточно длинным жизненным циклом.
Одновременно тайваньские источники сообщают о планах TSMC по расширению производства с использованием уже освоенных техпроцессов. Объёмы выпуска 2-нм продукции к концу этого года достигнут 100 000 кремниевых пластин в месяц, а по итогам 2027 года увеличатся ещё до 140 000 пластин в месяц. К четвёртому кварталу текущего года объёмы выпуска 3-нм продукции будут измеряться 180 000 кремниевых пластин в месяц, а в следующем превысят 200 000 пластин в месяц. Другими словами, одновременно TSMC будет расширять объёмы выпуска продукции по технологиям N2 и N3, а также вводить в опытное производство A16 и A14. К последней уже проявляют живой интерес многие из клиентов TSMC, включая производителей чипов для смартфонов, серверов и ПК.
В рамках технологии A14 компания TSMC внедрит новую структуру транзисторов GAAFET второго поколения и технологию NanoFlex Pro, определяющую архитектуру стандартных ячеек полупроводниковых чипов. Последняя позволяет повысить плотность размещения транзисторов на чипе благодаря уменьшению зазоров между ячейками. Предыдущее поколение архитектуры NanoFlex было опробовано TSMC ещё в рамках 2-нм технологии. A14 по сравнению с N2 должна увеличить плотность размещения транзисторов на 20 %, увеличить быстродействие на 10–15 % при том же энергопотреблении, либо обеспечить его снижение на 25–30 % при прежнем быстродействии. Два базовых предприятия TSMC на Тайване смогут ежемесячно обрабатывать по 70 000 кремниевых пластин с использованием технологии A14, в перспективе к ним присоединится третье на юге острова, а также американское Fab 21 в штате Аризона.
Источник:
