MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Технология создания многослойной памяти типа NAND была предложена японской Toshiba в 2007 году, но ей преемнице Kioxia в современных условиях это не очень помогает в борьбе с конкурентами. Отставание в количестве слоёв NAND она готова компенсировать фирменной технологией соединения кремниевых пластин.
Источник изображений: Kioxia
Основная часть выпускаемой Kioxia памяти типа 3D NAND до сих пор довольствуется 218 слоями, тогда как конкурирующие компании предлагают более 300 слоёв памяти и движутся к рубежу в 400 слоёв. Зато разработанная Kioxia технология CBA позволяет соединять несколько кремниевых пластин между собой, тем самым увеличивая плотность хранения данных без увеличения удельного количества слоёв на одной пластине.
Исторически, как поясняет Nikkei Asian Review, управляющая логика микросхемы NAND размещалась на одной подложке с ячейками памяти, в которых хранится информация. Технология CBA позволяет располагать управляющую логику на отдельной кремниевой пластине, а затем соединять её с пластиной, на которой находятся ячейки памяти. Помимо прочего, технология позволяет соединять несколько кремниевых пластин с ячейками памяти, технически увеличивая плотность хранения данных.
Для внедрения такой компоновки в массовом производстве важно обеспечивать высокую точность взаимного позиционирования соединяемых кремниевых пластин. Kioxia в этом отношении опередила конкурентов, сторонние аналитики отмечают, что скорости записи и чтения у выпускаемой под этой маркой NAND на 20 или 30 % выше, чем у конкурентов. Сообщается, что Kioxia уже использует технологию CBA при производстве флагманских продуктов NAND. Правда, японский производитель при этом всё равно довольствуется лишь третьим местом на рынке твердотельной памяти, уступая южнокорейским конкурентам, и позиции Kioxia в прибыльном и быстро растущем серверном сегменте пока откровенно слабы. Возможно, новая технология увеличения плотности записи позволит изменить расстановку сил на рынке NAND.
Источник:
